Рубрикатор
 
Города
Области
Документы
Статьи
О сайте
Почтовые индексы
Контакты

 
 

План мероприятий по ФЦП Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники

Приложение № 1

к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы

и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы

 

Индикатор и показатели

реализации мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной

компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы

 

 

Единица измерения

2007 год

2008 год

2009 год

2010 год

2011 год

2015 год

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Индикатор

 

 

Достигаемый технологический уровень электроники

 

мкм

0,18

0,18

0,13

0,13

0,1 - 0,09

0,045

Показатели

 

 

Увеличение объемов продаж изделий электронной и радиоэлектронной техники

 

млрд. рублей

19

58

70

95

130

300

 

Количество разработанных базовых технологий в области электронной компонентной базы и радиоэлектроники (нарастающим итогом)

 

-

3 - 5

16 - 20

80 - 90

125 - 135

179 - 185

260 - 270

 

Количество завершенных и разрабатываемых проектов базовых центров проектирования функционально сложной электронной компонентной базы в организациях электронной промышленности Роспрома, в том числе сверхбольших интегральных схем "система на кристалле" (нарастающим итогом)

 

-

-

6

8

14

27

35

 

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях приборостроения и промышленности средств связи Роспрома (нарастающим итогом)

 

-

-

2

2

2

4

7

 

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Росатома, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

 

-

-

-

-

-

1

4

 

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

 

-

-

-

-

-

-

11

 

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Рособразования, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

 

-

-

1

1

2

2

7

 

Количество объектов технологического перевооружения электронных производств на основе передовых технологий в организациях электронной промышленности (нарастающим итогом)

 

-

1

1

5

10

23

89

 

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях приборостроения и промышленности средств связи Роспрома  (нарастающим итогом)

 

-

-

-

-

-

-

11

 

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Росатома, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

 

-

-

-

-

-

1

9

 

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

 

-

-

-

-

-

-

8

 

Количество завершенных поисковых технологических научно-исследовательских работ (нарастающим итогом)

 

-

1

3

9

15 - 17

18 - 21

32 - 37

 

Количество реализованных мероприятий по созданию электронной компонентной базы, соответствующей мировому уровню (типов, классов новой электронной компонентной базы) (нарастающим итогом)

 

-

4

11 - 12

16 - 20

22 - 25

36 - 40

55 - 60

 

Количество создаваемых рабочих мест (нарастающим итогом)

-

450

1020 - 1050

1800 - 2200

3000 -3800

3800 -4100

5000 -

6000

 

 

Приложение № 2

к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы

и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы

 

ПЕРЕЧЕНЬ

мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники"

на 2008 - 2015 годы

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)

Мероприятия

2008 - 2015 годы - всего

В том числе

Ожидаемые результаты

2008 год

2009 год

2010 год

2011 год

2012 - 2015 годы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы

 

 

 

Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника

 

1.

Разработка технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы А3В5

 

207

138

147

98

60

40

 

 

 

создание базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы А3В5 для бортовой и наземной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

2.

Разработка базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных

микросхем и объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных

субмодулей X-диапазона

265

175

 

60

40

120

79

85

56

 

создание базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона на основе гетероструктур материалов группы А3В5 для бортовой и наземной аппаратуры радиолокации, средств связи (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

 

3.

Разработка базовой технологии производства мощных сверх-высокочастотных полупроводниковых приборов на основе нитридных гетеро-эпитаксиальных структур

 

314

210

214

143

100

67

 

-

-

создание технологии производства мощных транзисторов сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур для техники связи, радиолокации (2009 год)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.

Разработка базовой технологии и библиотеки элементов для проектирования и производства монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур

770

512

 

136

90

337

225

297

197

 

создание технологии производства на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур мощных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с рабочими частотами до 20 ГГц для техники связи, радиолокации (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,

ввод в эксплуатацию производственной линии

 

5.

Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных компонентов и сложнофункциональных блоков для сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетеро­структур "кремний - германий"

237

151

166

111

71

40

 

 

 

создание базовой технологии производства компонентов для сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2 - 12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской,

технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

 


6.

Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур

"кремний - германий"

532

352

 

100

64

246

164

186

124

 

создание базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2 - 12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

 

7.

Разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных

схем на основе гетеро­структур "кремний - германий"

111

81

76

51

35

30

 

 

 

разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц, разработка  комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,

ввод в эксплуатацию производственной линии

 


8.

Разработка базовых технологий проектирования кремний-германиевых сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе аттестованной библиотеки сложнофункциональных блоков

 

207

142

 

40

30

100

67

67

45

 

создание базовых технологий проектирования на основе библиотеки сложнофункциональных блоков широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

 

9.

Разработка базовых технологий производства элементной базы для ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры

 

 

120

80

60

40

60

40

 

 

 

создание базовых технологий производства элементной базы для высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

 

10.

Разработка базовых технологий производства ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры

153

102

 

 

89

60

64

42

 

создание базовых конструкций и технологии производства высокоэффективных, высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры на основе гибридно-пленочной технологии с применением бескорпусной элементной базы (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

 

11.

Разработка базовых конструкций и технологии производства корпусов мощных сверхвысокочастотных транзисторов X- , C-, S-, L- и P-диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью

124

85

74

52

50

33

 

 

 

создание технологии массового производства ряда корпусов мощных сверхвысокочастотных приборов для "бессвинцовой" сборки (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

 

12.

Разработка базовых конструкций теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов Х- и С-диапазонов на основе новых материалов

 

150

97

 

45

30

60

40

45

27

 

создание базовых конструктивных рядов элементов систем охлаждения аппаратуры Х- и С-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов

 

13.

Разработка базовой технологии производства теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных

приборов Х- и С-диапа- зонов на основе новых материалов

93

62

 

 

60

32

33

30

 

создание технологии массового производства конструктивного ряда элементов систем охлаждения аппаратуры
Х- и С-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

 

14.

Разработка базовых технологий производства суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов

96

62

53

35

43

27

 

 

 

создание технологии массового производства конструктивного ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и
L-диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов
документации в стандартах единой

 

 

 

 

 

 

 

 

системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

 

 

15.

Разработка конструктивно-параметрического ряда суперлинейных

кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов

170

116

 

 

95

70

75

46

 

создание конструктивно-параметрического ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-

диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры,

разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

 

16.

Разработка технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей сверхвысокочастотных  полупроводниковых структур, мощных транзисторов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем X-,

C-, S-, L- и P-диапазонов для их массового производства

 

87

57

45

27

42

30

 

 

 

разработка метрологической аппаратуры нового поколения для исследования и контроля параметров полупроводниковых структур, активных элементов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем в производстве и при их использовании

17.

Исследование и разработка базовых технологий для создания нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных  модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками,

магнитоэлектрических

приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения

104

69

54

36

50

33

 

 

 

создание технологии унифицированных сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

18.

Разработка базовых конструкций и технологии производства нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров,

141

95

 

 

89

60

52

35

 

разработка конструктивных рядов и базовых технологий производства сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

 

микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения

 

 

 

 

 

 

 

 

19.

Исследование и разработка процессов и базовых технологий нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа и сверхбыстродействую-щих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми дефектами

85

57

45

30

40

27

 

 

 

создание технологических процессов производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2008 год), создание базовой технологии получения сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми эффектами (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,

ввод в эксплуатацию производственной линии

 

20.

Разработка базовых конструкций и технологии производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа

85

57

 

 

45

30

40

27

 

создание конструктивных рядов и базовых технологий производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

 

21.

Разработка базовой технологии сверхвысокочастотных p-i-n диодов, матриц, узлов управления и портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнитоэлектронных твердотельных и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразования

 

156

104

86

57

70

47

 

 

 

создание базовой технологии производства элементов и специальных элементов и блоков портативной аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения средств связи, радиолокационных станций, радионавигации, измерительной техники, автомобильных радаров, охранных и сигнальных устройств (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

 

22.

Разработка базовых технологий создания мощных вакуумных сверхвысокочастотных устройств

 

2670

1780

375

250

420

280

450

300

525

350

900

600

создание конструктивных рядов и базовых технологий проектирования и производства мощных и сверхмощных вакуумных сверхвысокочастотных приборов для аппаратуры широкого назначения нового поколения (2009 год, 2011 год), включая разработку:

конструкций многолучевых электронно-оптических систем, включая автоэмиссионные катоды повышенной мощности и долговечности (2012 год);

мощных широкополосных ламп бегущей волны импульсного и непрерывного действия, магнетронов, тетродов миллиметрового диапазона (2013 год);

малогабаритных ускорителей электронов с энергией до 10 МЭВ для терапевтических и технических приложений (2014 год)

 

23.

Разработка базовых технологий создания мощных твердотельных сверхвысокочастотных устройств на базе нитрида галлия

 

1785

1190

150

100

300

200

300

200

135

90

900

600

создание базовых конструкций и технологий изготовления сверхвысокочастотных мощных приборов на структурах с использованием нитрида галлия (2008 год, 2010 год), включая:

создание гетеропереходных полевых транзисторов с диодом Шоттки с удельной мощностью до 30 - 40  Вт/мм и рабочими напряжениями до 100 В;

исследования и разработку технологий получения гетероструктур на основе слоев нитрида галлия на изоляторе и высокоомных подложках (2013 год);

разработка технологии получения интегральных схем, работающих в экстремальных условиях (2015 год)

 

24.

Исследование перспективных типов сверхвысокочастотных приборов и структур, разработка технологических принципов их изготовления

 

1080

720

 

 

 

 

1080

720

исследование технологических принципов формирования перспективных сверхвысокочастотных приборов и структур, включая создание наногетероструктур, использование комбинированных (электронных и оптических методов передачи и преобразования сигналов), определение перспективных методов формирования приборных структур, работающих в частотных диапазонах до 200 ГГц

 

25.

Разработка перспективных методов проектирования и моделирования сложнофункциональной сверхвысокочастотной  электронной компонентной базы

 

1050

700

 

 

 

 

1050

700

создание  полного состава прикладных программ проектирования и оптимизации сверхвысокочастотной электронной компонентной базы, включая проектирование активных приборов, полосковых линий передачи, согласующих компонентов, формируемых в едином технологическом процессе

 

Всего по направлению 1

10791

7194

1545

1030

1722

1148

1930,5

1327

1603,5

1069

3930

2620

 

 

Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база

 

26.

Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм

151

100,8

71

47,4

80

53,4

 

 

 

создание технологии изготовления микросхем с размерами элементов 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2009 год), разработка правил проектирования  базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск

 

 

 

 

 

 

 

 

специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника)

 

27.

Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм

315,4

210,3

 

 

59,4

39,6

256

170,7

 

создание технологии изготовления микросхем с размерами элементов

0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2011 год), разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем, обеспечивающих создание расширенной номенклатуры быстродействующей и высокоинтегрированной радиационно стойкой элементной базы

 

28.

Разработка технологии проектирования и конструктивно-технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложно-функциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 мкм

 

155

103,4

71

47,4

84

56

 

 

 

создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,25 мкм (2009 год)

 

29.

Разработка технологии проектирования и конструктивно-технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложно-функциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,18 мкм

 

360,1

240

 

 

81,5

54,3

278,6

185,7

 

создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,18 мкм

 

30.

Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,35 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы

 

174

116

98

65,3

76

50,7

 

 

 

создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой, радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,35 мкм и базовой технологии создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы (2009 год)

 

31.

Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,18 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы

261

174,2

 

 

56

37,3

205

136,9

 

создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,18 мкм (2010 год) и создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы (2011 год)

32.

Разработка технологии "кремний на сапфире" изготовления ряда лицензионно-независимых радиационно стойких комплементарных полевых полупроводниковых сверхбольших интегральных схем цифровых процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и схем интерфейса

 

140,8

93,9

 

83,2

55,4

 

57,6

38,5

 

 

 

 

разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микроконтроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения

 

33.

Разработка технологии структур с ультратонким слоем кремния на сапфире

 

374

249,5

 

 

 

74,5

49,8

 

299,5

199,7

 

 

создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире",

 

 

 

 

 

 

 

 

позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2011 год)

 

34.

Разработка базовой технологии и приборно-технологического базиса производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем "система на кристалле", радиационно стойкой силовой электроники для аппаратуры питания и управления

152,6

98,4

80,6

50,4

72

48

 

 

 

разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А (2009 год)

 

35.

Разработка элементной базы радиационно стойких интегральных схем на основе полевых эмиссионных микронано­триодов

 

81,2

57,5

33,2

25,5

48

32

 

 

 

создание ряда  микронанотриодов и микронанодиодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования

 

36.

Создание информационной базы радиационно стойкой электронной компонентной базы, содержащей модели интегральных компонентов, функционирующих в условиях радиационных

251

167,3

 

 

61,1

40,7

189,9

126,6

 

разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы для определения технически обоснованных норм испытаний

 

 

воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы

 

 

 

 

 

 

 

 

37.

Разработка библиотек стандартных элементов и сложнофункциональных блоков для создания радиационно стойких сверхбольших интегральных схем

975

650

 

 

 

 

975

650

создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2012 год, 2015 год)

 

38.

Разработка расширенного ряда радиационно стойких сверхбольших интегральных схем для специальной аппаратуры связи, обработки и передачи информации, систем управления

 

975

600

 

 

 

 

975

600

разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микроконтроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения, разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А, создание ряда микронанотриодов и микронанотриодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования

 

39.

Разработка и совершенствование методов моделирования и проектирования радиационно стойкой элементной базы

 

951

634

 

 

 

 

951

634

разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы для определения технически обоснованных норм испытаний

40.

Разработка и совершенствование базовых технологий и конструкций  радиационно стойких сверхбольших  интегральных схем на структурах "кремний на сапфире" и "кремний на изоляторе" с топологическими нормами не менее 0,18 мкм

975

650

 

 

 

 

975

650

создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2014 год), создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015 год)

 

 

Всего

по направлению 2

6293

4195,3

437,1

291,4

417,6

278,6

332,5

221,7

1229,4

819,6

3876

2584

 

 

 

 

 

 

Направление 3. Микросистемная техника

 

41.

Разработка базовых технологий микро-электромеханических систем

 

209

105

112

75

97

30

 

 

 

создание базовых технологий (2009 год) и комплектов технологической документации на изготовление микроэлектромеханических систем контроля давления, микроакселерометров с чувствительностью по двум и трем осям,  микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов

 

42.

Разработка базовых конструкций микроэлектромеханических систем

424

277

-

75

60

228

141

121

76

 

разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление чувствительных элементов и микросистем контроля давления, микроакселерометров, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов с напряжением управления, предназначенных для использования в транспортных средствах, оборудовании

 

 

 

 

 

 

 

 

топливно-энергетического комплекса, машиностроении, медицинской технике, робототехнике, бытовой технике

 

 

 

 

 

 

 

 

 

43.

Разработка базовых технологий микроакусто-электромеханических систем

 

155

100

110

70

45

30

 

 

 

создание базовых технологий

(2009 год) и комплектов необходимой технологической документации на изготовление микроакустоэлектромеханических систем, основанных на использовании поверхностных акустических волн (диапазон частот до 2 ГГц) и объемно-акустических волн (диапазон частот до 8 ГГц), пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники

 

44.

Разработка базовых конструкций микро-акустоэлектромехани-

ческих систем

418

280

 

71

60

225

143

122

77

 

разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление пассивных датчиков физических величин -

 

 

 

 

 

 

 

 

микроакселерометров,

микрогироскопов на поверхностных акустических волнах, датчиков давления и температуры,

датчиков деформации, крутящего момента и микроперемещений,

резонаторов

 


45.

Разработка базовых технологий микроаналитических систем

 

55

38

55

38

 

 

 

 

создание базовых технологий изготовления элементов микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства, в медицинской и биомедицинской технике для обнаружения токсичных, горючих и взрывчатых материалов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

46.

Разработка базовых конструкций микроаналитических систем

224

164

 

64

30

102

86

58

48

 

создание базовых конструкций микроаналитических систем, предназначенных для аппаратуры жилищно-коммунального хозяйства,  медицинской и биомедицинской техники;

разработка датчиков и аналитических систем миниатюрных размеров с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга окружающей среды, контроля качества пищевых продуктов и контроля утечек опасных и вредных веществ в технологических процессах

 

47.

Разработка базовых технологий микро-оптоэлектромеханических систем

 

94

71

59

41

35

30

 

 

 

создание базовых технологий выпуска трехмерных оптических и акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектромеханических систем для коммутации и модуляции оптического излучения, акустооптических перестраиваемых фильтров, двухмерных управляемых матриц микрозеркал микропереключателей и фазовращателей (2009 год)

 

48.

Разработка базовых конструкций микро-оптоэлектромеханических систем

208

145

 

35

30

112

75

61

40

 

разработка базовых конструкций и комплектов, конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации и модуляции оптического излучения

 

49.

Разработка базовых технологий микросистем анализа магнитных полей

 

55

38

55

38

 

 

 

 

создание базовых технологий изготовления микросистем анализа магнитных полей на основе анизотропного и гигантского магниторезистивного эффектов, квазимонолитных и монолитных гетеромагнитных пленочных структур  (2008 год)

 

50.

Разработка базовых конструкций микросистем анализа магнитных полей

214

137

 

54

30

104

69

56

38

 

разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на магниточувствительные микросистемы для применения в электронных системах управления приводами, в датчиках положения и потребления, бесконтактных переключателях

 

51.

Разработка базовых технологий радиочастотных микроэлектро-механических систем

 

77

61

45

31

32

30

 

 

 

разработка и освоение в производстве базовых технологий изготовления радиочастотных микроэлектромеханических систем и компонентов, включающих микрореле, коммутаторы, микропереключатели (2009 год)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

52.

Разработка базовых конструкций радиочастотных микроэлектромеханичес-ких систем

166

119

 

32

30

87

58

47

31

 

разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на изготовление радиочастотных микроэлектромеханических систем - компонентов, позволяющих получить резкое улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и снижение стоимости изделий

 

53.

Разработка методов и средств обеспечения создания и производства изделий микросистемной техники

40

24

40

24

 

 

 

 

создание методов и средств контроля и измерения параметров и характеристик изделий микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и

экологии

 

54.

Разработка перспектив-ных  технологий и конструкций микро-оптоэлектромеханических систем для оптической аппаратуры, систем отображения изображений, научных исследований и специальной техники

 

1155

770

 

 

 

 

1155

770

создание базовых технологий выпуска трехмерных оптических и акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектромеханических систем для коммутации и модуляции оптического излучения (2012 год),

акустооптических перестраиваемых фильтров (2012 год), двухмерных управляемых матриц микрозеркал микропереключателей и фазовращателей (2013 год), разработка базовых технологий, конструкций и комплектов, конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектромеханических

систем коммутации и модуляции оптического излучения (2015 год)

 

55.

Разработка и совершенствование методов и средств контроля, испытаний и аттестации изделий микросистемотехники

 

1155

770

 

 

 

 

1155

770

создание методов и средств контроля и измерения параметров и характеристик изделий микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии

 

56.

Разработка перспектив-ных  технологий и конструкций микро-аналитических систем для аппаратуры контроля и обнаружения токсичных, горючих, взрывчатых и наркотических веществ

 

1170

780

 

 

 

 

1170

780

создание перспективных  технологий изготовления элементов микроаналитических систем, чувствительных к газовым,

химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства (2012 год, 2013 год, 2014 год)

 

 

Всего по направлению 3

 

5818,5

3879

475,5

317

540

360

858

572

465

310

3480

2320

 

 

 

 

Направление 4. Микроэлектроника

 

57.

Разработка технологии и развитие методологии проектирования изделий микроэлектроники:

разработка и освоение современной технологии проектирования универсальных микропроцессоров, процессоров обработки сигналов, микро-контроллеров и "системы на кристалле" на основе каталогизированных сложнофункциональных блоков и библиотечных элементов, в том числе создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования;

 

270

125,6

148,9

76,6

121,1

49

 

 

 

разработка комплекта нормативно-технической документации по проектированию изделий микроэлектроники, создание отраслевой базы данных с каталогами библиотечных элементов и сложнофункциональных блоков с каталогизированными результатами аттестации на физическом уровне, разработка комплекта нормативно-технической и технологической документации по взаимодействию центров проектирования в сетевом режиме

 

 

освоение и развитие технологии проектирования для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных с целью размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,13 мкм

 

 

 

 

 

 

 

 

58.

Разработка и освоение базовой технологии производства фотошаблонов с технологическим уровнем до 0,13 мкм с целью обеспечения информационной защиты проектов изделий микроэлектроники при использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного)

 

34

22,7

22

14,7

12

8

 

 

 

разработка комплекта технологической документации и организационно-распорядительной документации по взаимодействию центров проектирования и центра изготовления фотошаблонов

 

59.

Разработка семейств и серий изделий микроэлектроники:

универсальных микропроцессоров для встроенных применений;

универсальных микропроцессоров для серверов и рабочих станций;

цифровых процессоров обработки сигналов;

сверхбольших интегральных схем, программируемых логических интегральных схем;

сверхбольших интегральных схем быстродействующей динамической и статической памяти;

микроконтроллеров со встроенной энергонезависимой электрически

766,9

466,8

336,7

180

430,2

286,8

 

 

 

разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,

изготовление опытных образцов изделий и организация серийного производства

 

программируемой памятью;

схем интерфейса дискретного ввода/вывода;

схем аналогового интерфейса;

цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах

 

 

 

 

 

 

 

 

выше 100 МГц с разрядностью более 8 - 12 бит;

схем приемопередатчиков шинных интерфейсов;

изделий интеллектуальной силовой микро-электроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения;

встроенных интегральных источников питания

 

 

 

 

 

 

 

 

60.

Разработка базовых серийных технологий изделий микроэлектроники:

цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 14 - 16 бит;

микроэлектронных устройств различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур и биосенсоров;

сенсоров на основе магнито-электрических и пьезоматериалов;

встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц, 10 - 12 ГГц;

систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и
 исполнительных
элементов методом беспроводной сборки с при-

1801,6

1200,9

 

 

799,8

533,1

1001,8

667,8

 

разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, изготовление опытных образцов изделий и организация серийного производства

 

менением технологии матричных жестких

выводов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

61.

Разработка технологии и освоение производства изделий микроэлектроники с технологическим уровнем 0,13 мкм

 

462,4

308,3

252,4

168,3

210

140

 

 

 

разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической документации и  ввод в эксплуатацию производственной линии

 

62.

Разработка базовой технологии формирования многослойной разводки

(7 - 8 уровней) сверхбольших интегральных схем на основе Al и Cu

894,8

596,2

 

 

 

146,3

97,3

748,5

498,9

 

разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,

ввод в эксплуатацию производственной линии

 

63.

Разработка технологии и организация производства многокристальных микроэлектронных модулей для мобильных применений с использованием полимерных и металлополимерных микроплат и носителей

 

494,2

294,2

 

211,1

105,6

166,4

110,9

116,7

77,7

 

разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,

ввод в эксплуатацию производственной линии

 

64.

Разработка новых методов технологических испытаний изделий микроэлектроники, гарантирующих их повышенную надежность в процессе долговременной (более 100 000 часов) эксплуатации, на основе использования типовых оценочных схем и тестовых кристаллов

 

173

173

68

68

105

105

 

 

 

разработка технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию специализированных участков

65.

Разработка современных методов анализа отказов изделий микроэлектроники с применением ультраразрешающих методов (ультразвуковая гигагерцовая микроскопия, сканирование синхротронным излучением, атомная

227

227

132

132

95

95

 

 

 

разработка комплектов документации, включая утвержденные отраслевые методики, ввод в эксплуатацию модернизированных участков и лабораторий анализа отказов

 

и туннельная силовая микроскопия, электронно- и ионно-лучевое зондирование и другие)

 

 

 

 

 

 

 

 

66.

Разработка базовых субмикронных технологий уровней

0,065 - 0,045 мкм

 

1200

800

 

 

 

 

1200

800

разработка и освоение базовой технологии производства фотошаблонов с технологическим уровнем до 0,045 мкм с целью обеспечения информационной защиты проектов изделий микроэлектроники при использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного) (2014 год). Создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования сверхбольших интегральных схем;

создание базовой технологии формирования многослойной разводки (7 - 8 уровней) сверхбольших интегральных схем на основе Al и Cu (2015 год),

 

 

 

 

 

 

 

 

освоение и развитие технологии проектирования и изготовления для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий, а также с целью размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,045 мкм, разработка комплекта технологической документации и организационно-распорядительной документации по взаимодействию центров

 

67.

Исследование технологических процессов и структур для субмикронных технологий уровней 0,032 мкм

 

1425

950

 

 

 

 

1425

950

создание технологии сверхбольших интегральных схем технологических уровней 65 - 32 нм, организация опытного производства (2015 год)

 

68.

Разработка перспективных технологий и конструкций  изделий интеллектуальной силовой  электроники для применения в аппаратуре бытового и промышленного применения, на транспорте, в топливно-энергетическом комплексе и в специальных системах

 

1425

950

 

 

 

 

1425

950

создание технологий и конструкций перспективных  изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения;

создание встроенных интегральных источников питания (2013 - 2015 годы)

 

69.

Разработка перспективных  технологий сборки сверхбольших  интегральных схем в многовыводные корпуса, в том числе  корпуса с матричным расположением выводов и технологий многокристальной сборки, включая создание "систем

в корпусе"

 

1650

1100

 

 

 

 

1650

1100

разработка перспективной технологии многокристальных микроэлектронных модулей для мобильных применений с использованием полимерных и металлополимерных микроплат и носителей (2015 год)

 

Всего по направлению 4

 

11222

7214,7

993,4

639,6

1236,4

789,4

1151

741,3

1913,6

1244,4

5927,5

3800

 

 

Направление 5. Электронные материалы и структуры

 

70.

Разработка технологии производства новых диэлектрических материалов на основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и подложек из поликристаллического алмаза

78

49

51

32

27

17

 

 

 

внедрение новых диэлектрических материалов на основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и подложек из поликристаллического алмаза с повышенной теплопроводностью и электропроводностью для создания нового поколения высокоэффективных и надежных сверхвысокочастотных приборов

 

71.

Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных соединений А3В5 для мощных

полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем

 

131

87

 

 

77

51

54

36

 

создание технологии производства гетероэпитаксиальных структур и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных соединений А3В5 для обеспечения разработок и изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и мощных транзисторов (2011 год)

 

72.

Разработка базовой технологии производства метаморфных структур на основе GaAs и псевдоморфных структур на подложках InP для приборов сверхвысокочастотной электроники диапазона 60 - 90 ГГц

 

77

50

50

32

27

18

 

 

 

создание базовой технологии производства гетероструктур и псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем диапазона 60 - 90 ГГц (2009 год)

 

73.

Разработка технологии производства спинэлектронных магнитных материалов, радиопоглощающих и мелкодисперсных ферритовых материалов для сверхвысокочастотных приборов

 

133

88

 

 

79

52

54

36

 

создание спинэлектронных магнитных материалов и микроволновых структур со спиновым управлением для создания перспективных микроволновых сверхвысокочастотных приборов повышенного быстродействия и низкого энергопотребления

 

74.

Разработка технологии производства высокочистых химических материалов (аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) для обеспечения производства

полупроводниковых подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитаксиальных структур на их основе

 

77

49

50

31

27

18

 

 

 

создание технологии массового производства высокочистых химических материалов (аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) для выпуска полупроводниковых подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитаксиальных структур на их основе (2009 год)

75.

Разработка технологии производства поликристаллических алмазов и их пленок для теплопроводных конструкций мощных выходных транзисторов  и сверхвысокочастотных приборов

 

134

88

 

 

79

52

55

36

 

создание технологии производства поликристаллических алмазов и его пленок для мощных сверхвысокочастотных приборов (2011 год)

76.

Исследование путей и разработка технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и наноструктур, а также полупроводниковых нитей с наноразмерами при вытяжке стеклянного капилляра, заполненного жидкой фазой полупроводника

 

57

38

36

24

21

14

 

 

 

создание технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и наноструктур для новых классов

микроструктурных приборов, магниторезисторов, осцилляторов, устройств оптоэлектроники

(2009 год)


77.

Разработка технологии выращивания слоев пьезокерамики на кремниевых подложках для формирования комплексированных устройств микросистемной техники

106

69

 

25

17

44

28

37

24

 

создание базовой пленочной технологии пьезокерамических элементов, совместимой с комплементарной металло-оксидной полупроводниковой технологией для разработки нового класса активных пьезокерамических устройств, интегрированных с микросистемами (2011 год)

 

78.

Разработка методологии и базовых технологий создания многослойных кремниевых структур с использованием "жертвенных" и "стопорных" диффузионных и диэлектрических слоев для производства силовых приборов и элементов микроэлектромеханических систем

57

38

36

24

21

14

 

 

 

создание технологии травления и изготовления кремниевых трехмерных базовых элементов микроэлектромеханических систем с использованием "жертвенных" и "стопорных" слоев для серийного производства элементов

микроэлектромеханических систем (2009 год) кремниевых структур с использованием силикатных стекол,
моно-, поликристаллического и пористого кремния и диоксида кремния

 

79.

Разработка базовых технологий получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий с широким диапазоном функциональных свойств

105

70

 

 

61

41

44

29

 

создание технологии получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий, алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения (2011 год)

 

80.

Исследование и разработка технологии роста эпитаксиальных слоев карбида кремния, структур на основе нитридов, а также формирования изолирующих и коммутирующих слоев в приборах экстремальной электроники

 

141

93

57

38

84

55

 

 

 

создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов для создания радиационно стойких сверхвысокочастотных и силовых приборов нового поколения

(2009 год)

 

81.

Разработка технологии производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на ультратонких гетероэпитаксиальных структурах кремния на сапфировой подложке для производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения

 

160

90

52

35

108

55

 

 

 

создание технологии производства структур "кремний на сапфире" диаметром до 150 мм с толщиной приборного слоя до 0,1 мкм и топологическими нормами до 0,18 мкм для производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения (2009 год)

82.

Разработка технологии производства высокоомного радиационно облученного кремния, слитков и пластин кремния диаметром до 150 мм для производства силовых полупроводниковых приборов

 

146

96

54

36

92

60

 

 

 

создание технологии производства радиационно облученного кремния и пластин кремния до 150 мм для выпуска мощных транзисторов и сильноточных тиристоров нового поколения (2009 год)

 

83.

Разработка технологии производства кремниевых подложек и структур для силовых полупроводниковых приборов с глубокими высоколегированными слоями р- и n-типов проводимости и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией

 

92

63

36

24

56

39

 

 

 

разработка и промышленное освоение получения высококачественных подложек и структур для использования в производстве силовых полупроводниковых приборов, с глубокими высоколегированными слоями и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией (2009 год)

 

84.

Разработка технологии производства электронного кремния, кремниевых пластин диаметром

до 200 мм и кремниевых эпитаксиальных структур уровня технологии

0,25 - 0,18 мкм

 

216

162

72

48

144

114

 

 

 

создание технологии производства пластин кремния диаметром до 200 мм и эпитаксиальных структур уровня 0,25 - 0,18 мкм (2009 год)

 

85.

Разработка методологии, конструктивно-технических решений и перспективной базовой технологии корпусирования интегральных схем и полупроводниковых приборов на основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами

 

232

161

 

 

109

78

123

83

 

разработка технологии корпусирования интегральных схем и полупроводниковых приборов на основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами, обеспечивающей сокращение состава сборочных операций и формирование трехмерных структур (2010 год, 2011 год)

 

86.

Разработка технологии производства гетероструктур SiGe для разработки сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,25 - 0,18 мкм

 

220

143

 

 

85

53

135

90

 

создание базовой технологии производства гетероструктур SiGe для выпуска быстродействующих сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,25 - 0,18 мкм (2010 год, 2011 год)

 

87.

Разработка технологии выращивания и обработки, в том числе плазмохимической, новых пьезоэлектрических материалов для акустоэлектроники и акустооптики

 

46

34

28

22

18

12

 

 

 

создание технологии выращивания и обработки пьезоэлектрических материалов акустоэлектроники и акустооптики для обеспечения производства широкой номенклатуры акустоэлектронных устройств нового поколения (2009 год)

 

88.

Разработка технологий производства

соединений А3В5 и тройных структур для:

производства сверхмощных лазерных диодов;

высокоэффективных светодиодов белого, зеленого, синего и ультрафиолетового диапазонов;

фотоприемников среднего инфракрасного диапазона

 

87

58

 

 

32

22

55

36

 

создание технологии массового производства исходных материалов и структур для перспективных приборов лазерной и оптоэлектронной техники, в том числе:

производства сверхмощных лазерных диодов (2010 год);

высокоэффективных светодиодов белого, зеленого, синего и ультрафиолетового диапазонов (2011 год);

фотоприемников среднего инфракрасного диапазона (2011 год)

 

89.

Исследование и разработка технологии получения гетероструктур с вертикальными оптическими резонаторами на основе квантовых ям и квантовых точек для производства вертикально излучающих лазеров для устройств передачи информации и матриц для оптоэлектронных переключателей нового поколения

 

48

33

30

22

18

11

 

 

 

создание технологии производства принципиально новых материалов полупроводниковой электроники на основе сложных композиций для перспективных приборов лазерной и оптоэлектронной техники (2009 год)

 

90.

Разработка технологии производства современных компонентов для специализированных фотоэлектронных приборов, в том числе:

    катодов и газопоглотителей;

    электронно-оптических и отклоняющих систем;

    стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок

 

86

57

 

 

32

22

54

35

 

создание технологии производства компонентов для специализированных электронно-лучевых (2010 год),

электронно-оптических и отклоняющих систем (2010 год),

стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок (2011 год)

 

91.

Разработка технологии производства особо тонких гетерированных нанопримесями полупроводниковых структур для высокоэффективных фотокатодов, электронно-

оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного диапазона и солнечных элементов с высокими значениями коэффициента полезного действия

 

47

32

30

20

17

12

 

 

 

создание технологии производства особо тонких гетерированных нанопримесями полупроводниковых структур для изготовления высокоэффективных фотокатодов электронно-оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного диапазона, солнечных элементов и других приложений (2009 год)

92.

Разработка базовой технологии производства монокристаллов AlN для изготовления изолирующих и проводящих подложек для гетероструктур

 

85

58

 

 

32

22

53

36

 

создание технологии монокристаллов AlN для изготовления изолирующих и проводящих подложек для  создания полупроводниковых высокотемпературных и мощных сверхвысокочастотных приборов нового поколения (2011 год)

 

93.

Разработка базовой технологии производства наноструктурированных оксидов металлов (корунда и т.п.) для производства вакуумно-плотной нанокерамики, в том числе с заданными оптическими свойствами

47

32

30

20

17

12

 

 

 

создание базовой технологии вакуумно-плотной спецстойкой керамики из нанокристаллических порошков и нитридов металлов для промышленного освоения спецстойких приборов нового поколения (2009 год), в том числе микрочипов, сверхвысокочастотных аттенюаторов, RLC-матриц, а также особо прочной электронной компонентной базы оптоэлектроники и фотоники

 

94.

Разработка базовой технологии производства полимерных и гибридных органо-неорганических наноструктурированных защитных материалов для электронных компонентов нового поколения прецизионных и сверхвысокочастотных резисторов, терминаторов, аттенюаторов и резисторно-индукционно-емкостных матриц, стойких к воздействию комплекса специальных внешних факторов

 

86

58

 

 

33

21

53

37

 

создание технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктурированными наполнителями для создания изделий с высокой механической, термической и радиационной стойкостью при работе в условиях длительной эксплуатации и воздействии комплекса специальных внешних факторов (2011 год)

 

95.

Исследование и разработка перспективных гетероструктурных и наноструктурированных материалов с экстремальными характеристиками для перспективных электронных приборов и радиоэлектронной аппаратуры специального назначения

 

1395

930

 

 

 

 

1395

930

создание базовой технологии производства гетероструктур, структур и псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем диапазона 60 - 90 ГГц (2012 год), создание технологии получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий (2013 год), алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения, создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов (2015 год)

 

96.

Исследование и разработка экологически чистых материалов и методов их использования в производстве  электронной компонентной базы и радиоаппаратуры, включая бессвинцовые композиции для сборки

 

1395

930

 

 

 

 

1395

930

создание нового класса конструкционных и технологических материалов для уровней технологии 0,065 - 0,032 мкм и обеспечения высокого процента выхода годных изделий, экологических требований по международным стандартам (2012 год, 2015 год)

 

97.

Разработка перспективных технологий получения ленточных материалов (полимерные, металлические, плакированные и другие) для радиоэлектронной  аппаратуры и сборочных операций электронной компонентной базы

 

1380

920

 

 

 

 

1380

920

создание перспективных технологий производства компонентов для специализированных электронно-лучевых, электронно-оптических и отклоняющих систем, стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок (2013 год), создание технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктурированными наполнителями (2015 год)

 

 

Всего по направлению 5

 

6864

4576

612

408

702

468

663

442

717

478

4170

2780

 

 

Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы

 

98.

Разработка технологии выпуска прецизионных температуростабильных высокочастотных

до 1,5 - 2 ГГц резонаторов на поверхностно акустических волнах до 1,5 ГГц с полосой до 70 процентов и длительностью сжатого сигнала до 2 - 5 нс

 

33

22

18

12

15

10

 

 

 

разработка расширенного ряда резонаторов с повышенной кратковременной и долговременной стабильностью для создания контрольной аппаратуры и техники связи двойного назначения

99.

Разработка в лицензируемых и нелицензируемых международных частотных диапазонах 860 МГц и 2,45 ГГц ряда радиочастотных пассивных и активных акустоэлектронных меток-транспондеров, в том числе работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом

 

120

80

 

21

14

48

32

51

34

 

создание технологии и конструкции акустоэлектронных пассивных и активных меток-транспондеров для применения в логистических приложениях на транспорте, в торговле и промышленности (2010 год, 2011 год)

100.

Разработка базовой конструкции и промышленной технологии производства пьезокерамических фильтров в корпусах для поверхностного монтажа

32

21

17

11

15

10

 

 

 

создание технологии проектирования и базовых конструкций пьезоэлектрических фильтров в малогабаритных корпусах для поверхностного монтажа при изготовлении техники связи массового применения (2009 год)

 

101.

Разработка технологии проектирования, базовой технологии производства и конструирования акустоэлектронных устройств нового поколения и фильтров промежуточной частоты с высокими характеристиками для современных систем связи, включая высокоизбирательные высокочастотные устройства частотной селекции на поверхностных и приповерхностных волнах и волнах Гуляева-Блюштейна с предельно низким уровнем вносимого затухания для частотного диапазона до 5 ГГц

 

 

 

 

39

26

39

26

 

 

 

 

создание базовой технологии акустоэлектронных приборов для перспективных систем связи, измерительной и навигационной аппаратуры нового поколения - подвижных, спутниковых, тропосферных и радиорелейных линий связи, цифрового интерактивного телевидения, радиоизмерительной аппаратуры, радиолокационных станций, спутниковых навигационных систем (2008 год)

102.

Разработка технологии проектирования и базовой технологии производства функциональных законченных устройств стабилизации, селекции частоты и обработки сигналов типа "система в корпусе"

 

96

64

 

33

22

63

42

 

 

создание технологии производства высокоинтегрированной электронной компонентной базы типа "система в корпусе" для вновь разрабатываемых и модернизируемых сложных радиоэлектронных систем и комплексов (2010 год)

103.

Разработка базовой конструкции и технологии изготовления высокочастотных резонаторов и фильтров на объемных акустических волнах для телекоммуникационных и навигационных систем

 

69

46

 

 

48

32

21

14

 

создание базовой технологии (2010 год) и базовой конструкции микроминиатюрных высокодобротных фильтров для малогабаритной и носимой аппаратуры навигации и связи

 

104.

Разработка технологии и базовой конструкции фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона для аппаратуры контроля изображений

 

30

20

30

20

 

 

 

 

создание нового поколения оптоэлектронных приборов для обеспечения задач предотвращения аварий и контроля

105.

Разработка базовой технологии унифицированных электронно-оптических преобразователей, микроканальных пластин, пироэлектрических матриц и камер на их основе с чувствительностью до 0,1 К и широкого инфракрасного диапазона

 

37

24

16

10

21

14

 

 

 

создание базовой технологии нового поколения приборов контроля тепловых полей для задач теплоэнергетики, медицины, поисковой и контрольной аппаратуры на транспорте, продуктопроводах и в охранных системах (2009 год)

106.

Разработка базовой технологии создания интегрированных гибридных фотоэлектронных высокочувствительных и высокоразрешающих приборов и усилителей для задач космического мониторинга и специальных систем наблюдения, научной и метрологической аппаратуры

 

84

55

45

30

39

25

 

 

 

создание базовой технологии (2008 год) и конструкции новых типов приборов, сочетающих фотоэлектронные и твердотельные технологии, с целью получения экстремально достижимых характеристик для задач контроля и наблюдения в системах двойного назначения

 

107.

Разработка базовых технологий мощных полупроводниковых лазерных диодов (непрерывного и импульсного излучения), специализированных лазерных полупроводниковых диодов, фотодиодов и лазерных волоконно-оптических модулей для создания аппаратуры и систем нового поколения

 

96

64

45

30

51

34

 

 

 

создание базовой технологии (2008 год) и конструкций принципиально новых мощных диодных лазеров, предназначенных для широкого применения в изделиях двойного назначения, медицины, полиграфического оборудования и системах открытой оптической связи

 

108.

Разработка и освоение базовых технологий для лазерных навигационных приборов, включая интегральный оптический модуль лазерного гироскопа на базе сверхмалогабаритных кольцевых полупроводниковых лазеров инфракрасного диапазона, оптоэлектронные компоненты для широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных средств транспорта

 

98

65

 

15

10

60

40

23

15

 

разработка базового комплекта основных оптоэлектронных компонентов для лазерных гироскопов широкого применения (2010 год), создание комплекса технологий обработки и формирования структурных и приборных элементов, оборудования контроля и аттестации, обеспечивающих новый уровень технико-экономических показателей производства

 

109.

Разработка базовых конструкций и технологий создания квантово-электронных приемо-передающих модулей для малогабаритных лазерных дальномеров нового поколения на основе твердотельных чип-лазеров с полупроводниковой накачкой, технологических лазерных установок широкого спектрального диапазона

47

32

22

15

25

17

 

 

 

создание базовой технологии твердотельных чип-лазеров
для лазерных дальномеров, твердотельных лазеров с пикосекундными длительностями импульсов для установок по прецизионной обработке композитных материалов, для создания элементов и изделий микромашиностроения и в производстве электронной компонентной базы нового поколения, мощных лазеров для применения в машиностроении, авиастроении, автомобилестроении, судостроении, в составе промышленных технологических

 

 

 

 

 

 

 

 

установок обработки и сборки, систем экологического мониторинга окружающей среды, контроля выбросов патогенных веществ, контроля утечек в продуктопроводах (2008 год, 2009 год)

 

110.

Разработка базовых технологий формирования конструктивных узлов и блоков для лазеров нового поколения и технологии создания полного комплекта электронной компонентной базы для производства лазерного устройства определения наличия опасных, взрывчатых, отравляющих и наркотических веществ в контролируемом пространстве

 

67

45

55

37

12

8

 

 

 

создание технологии получения широкоапертурных элементов на основе алюмоиттриевой легированной керамики композитных составов для лазеров с диодной накачкой (2008 год), высокоэффективных преобразователей частоты лазерного излучения, организация промышленного выпуска оптических изделий и лазерных элементов широкой номенклатуры

 

111.

Разработка базовых технологий, базовой конструкции и организация производства интегрированных катодолюминесцентных и других дисплеев двойного назначения со встроенным микроэлектронным управлением

 

52

35

25

17

27

18

 

 

 

разработка расширенной серии низковольтных катодолюминесцентных и других дисплеев с широким диапазоном эргономических характеристик и свойств по условиям применения для информационных и контрольных систем

 

112.

Разработка технологии и базовых конструкций высокояркостных светодиодов и индикаторов основных цветов свечения для систем подсветки в приборах нового поколения

45

30

24

16

21

14

 

 

 

создание ряда принципиально новых светоизлучающих приборов с минимальными геометрическими размерами, высокой надежностью и устойчивостью к механическим и климатическим воздействиям, обеспечивающих энергосбережение за счет замены ламп накаливания в системах подсветки аппаратуры и освещения

 

113.

Разработка базовой технологии и конструкции оптоэлектронных приборов (оптроны, оптореле, светодиоды) в миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа

 

90

60

 

15

10

57

38

18

12

 

создание базовой технологии производства нового поколения оптоэлектронной высокоэффективной и надежной электронной компонентной базы для промышленного оборудования и систем связи (2010 год, 2011 год)

 

114.

Разработка схемотехнических решений и унифицированных базовых конструкций и технологий формирования твердотельных видеомодулей на полупроводниковых светоизлучающих структурах для носимой аппаратуры, экранов индивидуального и коллективного пользования с бесшовной стыковкой

 

51

34

24

16

27

18

 

 

 

создание технологии новых классов носимой и стационарной аппаратуры, экранов отображения информации коллективного пользования повышенных емкости и формата (2009 год)

115.

Разработка базовой технологии изготовления высокоэффективных солнечных элементов на базе использования кремния, полученного по "бесхлоридной" технологии и технологии "литого" кремния прямоугольного сечения

 

60

40

30

20

30

20

 

 

 

создание технологии массового производства солнечных элементов для индивидуального и коллективного использования в труднодоступных районах, развития солнечной энергетики в жилищно-коммунальном хозяйстве для обеспечения задач энергосбережения (2009 год)

 

116.

Разработка базовой технологии и освоение производства оптоэлектронных реле с повышенными техническими характеристиками для поверхностного монтажа

 

38

25

18

12

20

13

 

 

 

создание технологии массового производства нового класса оптоэлектронных приборов для широкого применения в радиоэлектронной аппаратуре (2009 год)

117.

Комплексное исследование и разработка технологий получения новых классов органических (полимерных) люминофоров, пленочных транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления типа "с катушки на катушку"

162

108

 

33

22

99

66

30

20

 

создание базовой технологии массового производства экранов с предельно низкой удельной стоимостью для информационных и обучающих систем (2010 год, 2011 год)


 

Мероприятия

2008 - 2015 годы - всего

В том числе

Ожидаемые результаты

2008 год

2009 год

2010 год

2011 год

2012 - 2015 годы

 

 

118.

Разработка базовых конструкций и технологии активных матриц и драйверов плоских экранов на основе аморфных, поликристаллических и кристаллических кремниевых интегральных структур на различных подложках и создание на их основе перспективных видеомодулей, включая органические электролюминесцентные, жидкокристаллические и катодолюминесцентные, создание базовой технологии серийного производства монолитных модулей двойного назначения

 

183

122

45

30

33

22

105

70

 

 

создание технологии и конструкции активно-матричных органических электролюминесцентных, жидкокристаллических и катодолюминесцентных дисплеев, стойких к внешним специальным и климатическим воздействиям (2010 год)

 

119.

Разработка базовой конструкции и технологии крупноформатных полно-цветных газоразрядных видеомодулей

162

108

 

33

22

99

66

30

20

 

создание технологии и базовых конструкций полноцветных газоразрядных видеомодулей специального и двойного назначения для наборных экранов коллективного пользования (2010 год)

 

120.

Разработка технологии сверхпрецизионных резисторов и гибридных интегральных схем цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей на их основе в металлокерамических корпусах для аппаратуры двойного назначения

72

48

24

16

18

12

30

20

 

 

разработка расширенного ряда сверхпрецизионных резисторов, гибридных интегральных схем цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей с параметрами, превышающими уровень существующих отечественных и зарубежных изделий, для аппаратуры связи, диагностического контроля, медицинского оборудования, авиастроения, станкостроения, измерительной техники (2010 год)

 

121.

Разработка базовой технологии особо стабильных и особо точных резисторов широкого диапазона сопротивления, прецизионных датчиков тока для измерительной и контрольной аппаратуры и освоение их производства

 

105

70

 

 

45

30

60

40

 

разработка расширенного ряда сверхпрецизионных резисторов с повышенной удельной мощностью рассеяния, высоковольтных высокоомных резисторов для измерительной техники, приборов ночного видения и аппаратуры контроля (2011 год)

 

122.

Разработка технологии и базовых конструкций резисторов и резистивных структур нового поколения для поверхностного монтажа, в том числе резисторов с повышенными характеристиками, ультранизкоомных резисторов, малогабаритных подстроечных резисторов, интегральных сборок серии нелинейных полупроводниковых резисторов в многослойном исполнении чип-конструкции

192

128

 

24

16

 

78

52

90

60

 

создание базовой технологии и конструкции резисторов с повышенными значениями стабильности, удельной мощности в чип-исполнении на основе многослойных монолитных структур (2010 год, 2011 год)

 

123.

Разработка технологий формирования интегрированных резистивных структур с повышенными технико-эксплуатационными характеристиками на основе микроструктурированных материалов и методов групповой

сборки

 

48

32

36

24

12

8

 

 

 

создание базовой технологии производства датчиков на резистивной основе с высокими техническими характеристиками и надежностью (2009 год)

 

124.

Создание групповой технологии автоматизированного производства толстопленочных чип- и микрочип-резисторов

 

60

40

30

20

30

20

 

 

 

создание технологии автоматизированного производства чип- и микрочип-резисторов (в габаритах 0402, 0201 и менее) для применения в массовой аппаратуре (2009 год)

 

125.

Разработка новых базовых технологий и конструктивных решений изготовления танталовых оксидно-полупроводниковых и оксидно-электролитических конденсаторов и чип-конденсаторов и организация производства конденсаторов с повышенным удельным зарядом, сверхнизким значением внутреннего сопротивления и улучшенными потребительскими характеристиками

 

129

86

24

16

30

20

75

50

 

 

создание базовой технологии производства конденсаторов с качественно улучшенными характеристиками с  электродами из неблагородных металлов при сохранении высокого уровня надежности (2010 год)

 

126.

Разработка комплексной базовой технологии и организация производства конденсаторов с органическим диэлектриком и повышенными удельными характеристиками и ионисторов с повышенным током разряда

 

41

27

20

13

21

14

 

 

 

создание базовых технологий конденсаторов и ионисторов на основе полимерных материалов с повышенным удельным зарядом и энергоемких накопительных конденсаторов с повышенной удельной энергией (2009 год)

 

127.

Разработка технологии, базовых конструкций высоковольтных (быстродействующих, мощных) вакуумных выключателей нового поколения с предельными характеристиками для радиотехнической аппаратуры с высокими сроками службы

 

115

77

 

25

17

60

40

30

20

 

создание технологии и базовых конструкций нового поколения выключателей для радиоэлектронной аппаратуры с повышенными тактико-техническими характеристиками и надежностью (2011 год)

 

128.

Разработка технологий создания газонаполненных высоковольтных высокочастотных коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей с повышенными техническими характеристиками

 

49

33

24

16

25

17

 

 

 

создание технологии изготовления коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей в широком диапазоне напряжений и токов для радиоэлектронных и электротехнических систем (2009 год)

 

129.

Разработка полного комплекта электронной компонентной базы для создания модульного устройства грозозащиты зданий и сооружений с обеспечением требований по международным стандартам

 

27

18

27

18

 

 

 

 

создание технологии выпуска устройств грозозащиты в индивидуальном, промышленном и гражданском строительстве, строительстве пожароопасных объектов (2008 год)

 

130.

Разработка базовых конструкций и технологий изготовления малогабаритных переключателей с повышенными сроками службы для печатного монтажа

97

65

46

31

51

34

 

 

 

создание базовой технологии формирования высококачественных гальванических покрытий, технологии прецизионного формирования изделий для автоматизированных систем изготовления коммутационных устройств широкого назначения (2009 год)

 

131.

Комплексное исследование и разработка пленочных технологий изготовления высокоэкономичных крупноформатных гибких и особо плоских экранов

825

550

 

 

 

 

825

550

комплексное исследование и разработка технологий получения новых классов органических (полимерных) люминофоров, пленочных транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления типа "с катушки на катушку" (2012 год), создание базовой технологии массового производства экранов с предельно низкой удельной

 

 

 

 

 

 

 

 

стоимостью для информационных и обучающих систем (2014 год)

 

132.

Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных и квантовых структур и приборов нового поколения

 

825

550

 

 

 

 

825

550

создание технологии формирования нового поколения оптоэлектронных комплексированных приборов, обеспечивающих создание "системы на кристалле" с оптическими входами-выходами (2014 год, 2015 год)

 

133.

Разработка перспективных технологий промышленного изготовления солнечных высокоэффективных элементов

 

811,5

541

 

 

 

 

811,5

541

создание перспективной технологии массового производства солнечных элементов для индивидуального и коллективного использования (2015 год)

 

 

Всего по направлению 6

 

5086,5

3391

684

456

721,5

481

867

578

352,5

235

2461,5

1641

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Направление 7. Унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции

 

134.

Разработка базовых технологий создания рядов приемо-передающих унифицированных электронных модулей для аппаратуры связи, радиолокации, телекоммуникаций, бортовых радиотехнических средств

4395

2930

90

60

135

90

135

90

735

490

3300

2200

создание на основе современной и перспективной отечественной электронной компонентной элементной базы и последних достижений в разработке алгоритмов сжатия видеоизображений приемо-передающих унифицированных электронных модулей аппаратуры связи, телекоммуникаций, цифрового телевидения, бортовых радиотехнических средств, активных фазированных антенных решеток с параметрами:

  диапазон частот до 100 ГГц;

  скорость передачи информации до 100 Гбит/с;

создание базовых технологий и конструкции для создания унифицированных рядов приемо-передающих унифицированных электронных модулей аппаратуры волоконно-оптических линий

 

 

 

 

 

 

 

 

связи когерентных, высокоскоростных каналов со спектральным уплотнением, телекоммуникаций, цифрового телевидения, обеспечивающих импортозамещение в этой области;

разработка новых технологий

 

135.

Разработка базовых технологий создания нового класса унифицированных электронных модулей для обработки аналоговых и цифровых  сигналов на основе устройств функциональной электроники, приборов обработки сигналов аналого-цифровых и цифроаналоговых преобразователей, сенсоров и преобразователей

2820

1880

60

40

105

70

90

60

465

310

2100

1400

создание на основе базовых технологий и современной  отечественной твердотельной  компонентной электронной базы унифицированных электронных модулей нового поколения для обработки аналоговых и цифровых сигналов РЛС и других радиотехнических систем в высокочастотных, ПЧ и сверхвысокочастотных диапазонах, освоение производства нового класса многофункциональных радиоэлектронных устройств, разработка унифицированных электронных модулей преобразователей физических и химических величин для измерения и контроля широкой номенклатуры параметров микромеханических систем

136.

Разработка базовых технологий создания рядов унифицированных электронных модулей для систем телеметрии, управления,  навигации (угловых и линейных перемещений, ориентации, стабилизации, позиционирования, наведения,  радиопеленгации, единого времени)

1725

1150

45

30

60

40

60

40

285

190

1275

850

создание рядов унифицированных электронных модулей для систем телеметрии, управления, радиолокационных, робототехнических, телекоммуникационных систем и навигации (ориентации, стабилизации, позиционирования, наведения,  радиопеленгации, единого времени), позволяющих резко снизить стоимость и организовать крупносерийное производство радиоэлектронных средств широкого применения

 

137.

Разработка базовых технологий создания рядов унифицированных электронных модулей процессоров, скоростного и сверхскоростного ввода-вывода данных, шифрования и дешифрования данных, интерфейсов обмена, систем сбора и хранения информации, периферийных устройств, систем идентификации и управления доступом, конверторов, информационно-вычислительных систем

3285

2190

60

40

105

70

105

70

540

360

2475

1650

создание на основе современной и перспективной отечественной электронной компонентной базы унифицированных электронных модулей широкой номенклатуры для применения в различных информационных системах, в том числе унифицированных электронных модулей шифрования и дешифрования данных;

разработка базовых технологий и конструкций унифицированных электронных модулей на поверхностных акустических волнах систем радиочастотной и биометрической идентификации, систем идентификации личности, транспортных средств, электронных паспортов, логистики, контроля доступа на объекты повышенной безопасности, объектов атомной энергетики.

В создаваемых унифицированных электронных модулях будет обеспечена скорость обмена и передачи информации до 30 Гб/сек

 

138.

Разработка базовых технологий создания рядов унифицированных  электронных цифровых модулей для перспективных магистрально-модульных архитектур

1680

1120

45

30

60

40

60

40

270

180

1245

830

разработка на основе перспективных отечественных сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" базового ряда электронных модулей для создания перспективных магистрально-модульных архитектур, обеспечивающих создание защищенных средств вычислительной техники нового поколения (автоматизированные рабочие места, серверы, средства высокоскоростных линий волоконной связи), функционирующих с использованием современных высокоскоростных последовательных и параллельных системных интерфейсов

 

139.

Разработка базовых технологий создания ряда унифицированных электронных модулей для контрольно-измерительной, метрологической и поверочной аппаратуры, аппаратуры тестового контроля, диагностики блоков радиоэлектронной аппаратуры, для стандартных и встроенных систем контроля и измерений

1980

1320

45

30

75

50

60

40

330

220

1470

980

создание на основе современной и перспективной отечественной электронной компонентной базы рядов унифицированных электронных модулей, обеспечивающих возможность создания по модульному принципу контрольно-измерительной, метрологической и поверочной аппаратуры, аппаратуры тестового контроля и диагностики на основе базовых несущих конструкций;

создание комплекта сложнофункциональных блоков, определяющих ядро измерительных приборов, систем и комплексов, разработка законченных функциональных модулей, предназначенных для поверки и диагностики выполнения процессорных и интерфейсных функций сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" для систем управления, а также систем проектирования и изготовления  модулей систем управления и бортовых электронно-вычислительных машин, систем обработки информации и вычислений

 

140.

Разработка базовых технологий создания нового поколения унифицированных рядов средств электропитания и преобразователей электроэнергии для радиоэлектронных систем и аппаратуры гражданского и двойного назначения

2865

1910

60

40

90

60

90

60

480

320

2145

1430

разработка базовых технологий создания системообразующих унифицированных рядов средств (систем, источников, сервисных устройств) и преобразователей электроэнергии нового поколения межвидового и межведомственного применения, в том числе средств электропитания с высокой плотностью упаковки элементов с применением бескорпусных изделий, плоских моточных изделий пленочной технологии, новых методов экранирования, отвода и рассеяния тепла, основанных на применении наноразмерных материалов с высокой анизотропной теплопроводностью.

Будут разработаны базовые технологии создания:

унифицированных рядов источников электропитания;

преобразователей электрической энергии;

источников и систем бесперебойного электропитания;

фильтров сетевых модулей автоматического переключения каналов;

модулей защиты от сетевых помех;

адаптеров

141.

Разработка оптимизированной системы базовых несущих конструкций первого, второго и третьего уровней для наземной, морской, авиационной и космической радиоэлектронной аппаратуры специального и двойного назначения, предназначенной для жестких условий эксплуатации, в том числе  работающей в негерметизированном отсеке с использованием прогрессивных технологий

 

3195

2130

60

40

105

70

105

70

525

350

2400

1600

разработка системы базовых несущих конструкций, изготавливаемых на основе прогрессивных технологий и обеспечивающих техническую совместимость со всеми видами современных объектов с использованием новых полимерных материалов. Применение оптимизированных базовых несущих конструкций позволит сократить сроки разработки радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 раза, снизить трудоемкость изготовления базовых несущих конструкций в

1,5 - 2 раза, на 25 процентов уменьшить материалоемкость  и сократить затраты на производство радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 - 1,3 раза, обеспечить эффективное импортозамещение

 

142.

Разработка базовых технологий комплексно интегрированных базовых несущих конструкций с функциями контроля, диагностики, индикации функционирования

 

1695

1130

30

20

45

30

60

40

285

190

1275

850

разработка базовых несущих конструкций с функциями контроля, в том числе контроля температуры, влажности, задымления в корпусах радиоэлектронной аппаратуры, уровня вибрации, контроля параметров составных частей радиоэлектронной аппаратуры  - унифицированных электронных модулей, индикации рабочих режимов и аварийных сигналов для идентификации контролируемых параметров, разработка герметичных и перфорированных базовых несущих конструкций, обеспечивающих нормальный тепловой режим радиоэлектронной аппаратуры и выполняющих функции измерения и регулирования в требуемом диапазоне температуры и влажности воздуха внутри герметичных и перфорированных базовых несущих конструкций. Это позволит в

1,5 - 2 раза повысить надежность радиоэлектронной аппаратуры

 

143.

Разработка базовых технологий создания облегченных паяных базовых несущих конструкций для радиоэлектронной аппаратуры авиационного и космического базирования на основе существующих и перспективных алюминиевых сплавов повышенной прочности, обеспечивающих отвод тепла по элементам конструкции

 

 

 

1320

880

45

30

45

30

45

30

210

140

975

650

обеспечение улучшения массогабаритных характеристик бортовой аппаратуры на 30 процентов и повышение прочности при внешних воздействиях в

1,5 - 2 раза

 

 

144.

Разработка контейнерных базовых несущих конструкций с унифицированными интерфейсными средствами для комплексирования бортовых и наземных систем и комплексов различного назначения

 

1080

720

30

20

45

30

45

30

180

120

780

520

повышение уровня системной интеграции и комплексирования средств и систем, повышение конкурентоспособности не менее чем в 2 раза, обеспечение функционирования аппаратуры в условиях внешних жестких воздействий

 

 

Всего по направлению 7

26040

17360

570

380

870

580

855

570

4305

2870

19440

54518

 

 

Направление 8. Типовые базовые технологические процессы

 

145.

Разработка технологии изготовления высокоплотных теплонагруженных и сильноточных печатных плат

3225

2150

60

40

105

70

105

70

555

370

2400

1600

обеспечение разработки технологий:

производства печатных плат
5-го и выше классов точности, включая платы со встроенными пассивными элементами;

создания межслойных соединений с переходными сопротивлениями до 1 мОм для силовых цепей электропитания;

 

 

 

 

 

 

 

 

формирования слоев меди (в том числе с толщиной до 200 - 400 мкм), серебра, никеля с высокими показателями проводимости;

формирования финишных покрытий для бессвинцовой технологии производства изделий;

производства многослойных печатных плат под высокие температуры пайки;

лазерных процессов изготовления печатных плат;

прямой металлизации сквозных и глухих отверстий

 

146.

Разработка технологии изготовления прецизионных коммутационных плат на основе керамики (в том числе низкотемпературной), металла, углепластика и других функциональных материалов

2040

1360

45

30

60

40

60

40

360

240

1515

1010

обеспечение разработки технологий:

изготовления коммутационных плат для жестких условий эксплуатации и широкого диапазона частот;

получения коммутационных плат с температурным коэффициентом расширения, соответствующим тепловым характеристикам многовыводных корпусов (в том числе керамических) современных приборов;

обеспечения предельно минимального газовыделения в замкнутом пространстве герметичных модулей;

снижения энергоемкости технологических процессов за счет применения прогрессивных материалов и методов обработки, в том числе низкотемпературной керамики;

интеграции в коммутационную плату теплостоков и низкоомных проводников, пассивных элементов;

прогрессивных методов формообразования элементов коммутационных плат;

обеспечения совмещенного монтажа компонентов методами пайки и сварки на одной плате

147.

Разработка технологий сборки, монтажа электронных модулей, многокристальных модулей и микросборок на основе новой компонентной базы, перспективных технологических и конструкционных материалов

3780

2520

90

60

120

80

105

70

615

410

2850

1900

обеспечение разработки технологий:

новых методов присоединения, сварки, пайки, в том числе с применением бессвинцовых припоев;

высокоточного дозирования материалов, применяемых при сборке (флюсы, припои и припойные пасты, клеи, лаки, компаунды и т.п.);

новых методов сборки и пайки корпусов типа BGA, CSP, Flip-chip и других на различные коммутационные платы;

монтажа новой электронной компонентной базы, в том числе бескорпусных кристаллов силовых ключей на токовые шины;

сборки и монтажа низкопрофильных магнитных компонентов;

настройки и ремонта сложных модулей, в том числе демонтажа и повторного монтажа многовыводных компонентов с восстановлением влагозащиты

 

148.

Разработка технологии создания межблочных соединений для  коммутации сигналов в широком диапазоне частот и мощностей

1455

970

45

30

60

40

60

40

225

150

1065

710

обеспечение разработки технологий:

изготовления антенно-фидерных устройств, в том числе гибких волноводов, вращающихся сочленений с различными видами охлаждения;

оптоволоконной коммутации, устойчивой к воздействию жестких условий эксплуатации для различных условий применения, в том числе для систем дистанционного управления и мониторинга;

изготовления устройств коммутации (разъемов, переключателей и т.п.) различного назначения, в том числе многовыводных, герметичных, врубных, сильноточных и других

 

149.

 

Разработка методов, средств и технологии автоматизированного контроля коммутационных плат, узлов, электронных модулей и приборов специального и общего применения на этапах разработки и производства

1485

990

45

30

75

50

75

50

225

150

1065

710

повышение процента выхода годных изделий, снижение потерь на
15 - 30 процентов;

обеспечение разработки:

неразрушающих методов контроля качества монтажных соединений и  многослойных структур за счет использования различного излучения и цифровой обработки информации;

методов выявления напряженных состояний элементов конструкции и потенциальных неисправностей  изделий;

унифицированных методов и средств тестового и функционального контроля изделий различного назначения

 

150.

Разработка технологии производства специальных технологических и конструкционных материалов и базовой технологии защиты электронных модулей от воздействия в жестких условиях эксплуатации

3645

2430

60

40

105

70

105

70

600

400

2775

1850

импортозамещение специальных конструкционных и технологических  материалов, обеспечивающих процессы бессвинцовой и комбинированной пайки, изготовления коммутационных плат;

разработка влагозащитных электроизоляционных покрытий с минимальным газовыделением со сроком эксплуатации 25 и более лет;

разработка быстроотверждающихся, эластичных, с низким газовыделением в вакууме клеев, компаундов;

разработка материалов и технологии их применения для формирования теплостоков в высокоплотной аппаратуре;

разработка высокоэффективных ферритов для планарных трансформаторов повышенной мощности;

обеспечение разработки технологий:

локальной защиты чувствительных компонентов, общей защиты модулей органическими материалами, в том числе наноструктурированными;

 

 

 

 

 

 

 

 

вакуумно-плотной герметизации узлов и блоков со свободным внутренним объемом до 5 - 10 л методами пайки и сварки;

изготовления вакуумно-плотных корпусов многокристальных модулей и микросборок под поверхностный монтаж на платы;

формирования покрытий, обеспечивающих длительную защиту от дестабилизирующих факторов внешней среды, включая ионизирующие излучения;

нанесения локальных покрытий с заданными свойствами на элементы конструкции модулей

 

 

Итого по направлению 8

15630

10420

345

230

525

350

510

340

2580

1720

11670

7780

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Направление 9. Развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов

151.

Разработка технологий создания систем и оборудования автоматизации проектирования радиоэлектронных систем и комплексов

2640

1760

60

40

90

60

90

60

435

290

1965

1310

создание технологий отечественного программно-аппаратного обеспечения и средств разработки для автоматизированного проектирования радиоэлектронного оборудования с использованием различных технологических процессов;

повышение качества и сокращение сроков разработки радиоэлектронной продукции;

создание технологий обеспечения информационной безопасности функционирования информационно-управляющих систем;

существенное повышение уровней защиты информации в информационно-управляющих системах, создание базовых универсальных функциональных модулей защиты информации от несанкционированного доступа, вирусных атак, средств разведки и считывания информации, криптозащиты каналов систем; реализация полного технологического цикла проектирования, испытаний и производства унифицированной высокоэффективной, импортозамещающей, конкурентоспособной аппаратуры

152.

Разработка технологий моделирования сложных информационно-управляющих систем, в том числе систем реального времени

3120

2080

90

60

120

80

105

70

525

350

2280

1520

создание новых способов моделирования:

комбинированного способа моделирования, позволяющего существенным образом повысить быстродействие вычислений при сохранении точности расчета выходных показателей эффективности;

способа операционно-динамического моделирования;

снижение сроков разработки и испытаний радиоэлектронной продукции;

повышение достоверности математического и имитационного моделирования радиоэлектронных систем и комплексов, обеспечение максимальной сходимости результатов с результатами натурных испытаний и экспериментов

 

153.

Разработка технологий полунатурных и стендовых испытаний сложных информационно-управляющих систем

2430

 =SUM(LEFT) 1620

45

30

75

50

75

50

405

270

1830

1220

создание метрологически аттестованной унифицированной стендовой испытательной базы для проведения научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ;

снижение сроков разработки и стоимости испытаний радиоэлектронной продукции;

существенное повышение достоверности полунатурного моделирования радиоэлектронных систем и комплексов, обеспечение максимальной сходимости результатов с результатами натурных испытаний

 

154.

Разработка технологии конструирования и производства, а также аппаратно-программного обеспечения метрологических систем различного назначения для создания нового поколения отечественного парка измерительной аппаратуры

 

2265

1510

45

30

75

50

75

50

375

250

1695

1130

разработка базовых технологий, элементов и конструкций для создания парка измерительных систем и приборов, необходимых для разработки и испытаний радиотехнических информационно-управляющих систем, систем связи и  телекоммуникаций

 

 

Итого по направлению 9

 

 

10455

6970

240

160

360

240

345

230

1740

1160

7770

5180

 

Направление 10. Обеспечивающие работы

 

155.

Разработка организационных принципов и научно-технической базы обеспечения проектирования и производства электронной компонентной базы в соответствии с требованиями Всемирной торговой организации

 

93

93

6

6

10

10

7

7

10

10

60

60

разработка комплекта методической и научно-технической документации для обеспечения функционирования систем проектирования и производства электронной компонентной базы в соответствии с требованиями Всемирной торговой организации

 

156.

Создание и обеспечение функционирования системы испытаний электронной компонентной базы, обеспечивающей поставку изделий с гарантированной надежностью для комплектации систем специального и двойного назначения

128

128

13

13

20

20

15

15

19

19

60

60

разработка новых и совершенствование существующих методов испытаний электронной компонентной базы, разработка методов отбраковочных испытаний перспективной электронной компонентной базы, обеспечение поставки изделий с гарантированной надежностью для комплектации систем специального назначения (атомная энергетика, космические программы, транспорт, системы двойного назначения)

 

157.

Разработка и совершенствование методов, обеспечивающих качество и надежность сложнофункциональной электронной компонентной базы на этапах опытно-конструкторских работ, освоения и производства

 

99

99

7

7

12

12

9

9

11

11

60

60

разработка и систематизация методов расчетно-экспериментальной оценки показателей надежности

электронной компонентной базы, разрешенной для применения в аппаратуре, функционирующей в специальных условиях и с длительными сроками активного существования

 

158.

Создание и внедрение основополагающих документов по обеспечению жизненного цикла изделия на этапах проектирования, производства, применения и утилизации электронной компонентной базы

 

94

94

7

7

10

10

7

7

10

10

60

60

разработка системы технологий обеспечения жизненного цикла изделия при создании широкой номенклатуры электронной компонентной базы

159.

Научное сопровождение Программы, в том числе определение технологического и технического уровней развития отечественной и импортной электронной компонентной базы на основе их рубежных технико-экономических показателей, разработка "маршрутных карт" развития групп электронной компонентной базы

 

127

127

13

13

20

20

15

15

19

19

60

60

оптимизация состава выполняемых комплексов научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по развитию электронной компонентной базы в рамках Программы и определение перспективных направлений создания новых классов электронной компонентной базы с установлением системы технико-экономических и рубежных технологических показателей, разработка "маршрутных карт"

развития по направлениям электронной компонентной базы

 

160.

Создание интегрированной информационно-аналитической автоматизированной системы по развитию электронной компонентной базы, охватывающей деятельность заказчика-координатора, заказчика и организаций, участвующих в выполнении комплекса программных мероприятий, с целью оптимизации состава участников, финансовых средств, перечисляемой государству прибыли и достижения заданных технико-экономических показателей разрабатываемой электронной компонентной базы

98

98

7

7

12

12

9

9

10

10

60

60

проведение технико-экономической оптимизации выполнения комплексных годовых мероприятий подпрограммы, создание системы действенного финансового и технического контроля выполнения Программы

161.

Определение перспектив развития российской электронной компонентной базы на основе анализа динамики сегментов мирового и отечественного рынков радиоэлектронной продукции и действующей производственно-технологической базы

 

93

93

7

7

10

10

8

8

8

8

60

60

формирование системно-ориентированных материалов по экономике, технологиям проектирования и производству электронной компонентной базы, обобщение и анализ мирового опыта для выработки технически и экономически обоснованных решений развития электронной компонентной базы

 

162.

Системный анализ результатов выполнения комплекса мероприятий Программы на основе создания отраслевой системы планирования и учета развития разработки, производства и применения электронной компонентной базы по основным технико-экономическим показателям

 

68

68

8

8

11

11

8

8

7

7

35

35

создание отраслевой системы учета и планирования развития разработки, производства и применения электронной компонентной базы

 

 

Всего по направлению 10

800

800

68

68

105

105

78

78

94

94

 

455

455

 

 

Итого по разделу I

99000

66000

5970

3980

7200

4800

7650

5100

15000

10000

 

63180

42120

 

 


 

 

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)

 

Мероприятия

2008 - 2015 годы - всего

В том числе

Ожидаемые результаты

2008 год

2009 год

2010 год

2011 год

2012 - 2015 годы

 

 

II. Капитальные вложения

 

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ПРОМЫШЛЕННОСТИ (РОСПРОМ)

 

1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

 

163.

Реконструкция и техническое перевооружение производства сверхвысокочастотной техники федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино

1393

696,5

630

315

383

191,5

380

190

 

 

создание производственно-технологического комплекса по выпуску твердотельных сверхвысокочастотных субмодулей мощностью 100 тыс. штук в год

 

164.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Пульсар", г. Москва

 

1161

580,5

220

110

341

170,5

180

90

420

210

 

создание производственной технологической линии по выпуску сверхвысокочастотных приборов и модулей на широкозонных полупроводниках

 

165.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Салют", г. Нижний Новгород

 

280

  140*

 

 

100

50

180

90

 

расширение мощностей по производству активных элементов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с повышенной радиационной стойкостью с 15 до 35 тыс. штук в год **

 

166.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Алмаз", г. Саратов

 

280

  140*

 

 

100

50

180

90

 

ввод новых мощностей по производству новейших образцов ламп бегущей волны и других сверхвысокочастотных приборов, в том числе в миллиметровом

диапазоне **

 

167.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Торий", г. Москва

 

400

  200*

 

 

210

105

190

95

 

реконструкция производственной линии по выпуску новых сверхмощных сверхвысокочастотных приборов с повышенным уровнем технических параметров, надежности и долговечности**

 

168.

Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ", г. Новосибирск

 

120

  60*

 

 

60

30

60

30

 

реконструкция производственной линии для выпуска новых изделий радиационно стойкой электронной компонентной базы, необходимой для организаций Росатома и Роскосмоса **

 

169.

Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Восток",

г. Новосибирск

 

180

  90*

 

 

100

50

80

40

 

создание производственных мощностей по выпуску радиационно стойкой электронной компонентной базы в количестве 80 - 100 тыс. штук  в год для комплектования важнейших специальных систем**

 

170.

Техническое перевооружение открытого акционерного общества "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон", г. Москва

 

1520

  760*

 

 

 

 

1520

  760

техническое перевооружение завода для выпуска сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,18 мкм**

 

171.

Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия

"Научно-исследователь-ский институт "Полюс" им. М.Ф.Стельмаха", г. Москва

 

240

  120*

 

120

60

120

60

 

 

организация участка прецизионной оптической и механической обработки деталей для лазерных излучателей, твердотельных лазеров и бескарданных лазерных гироскопов нового поколения **

 

172.

Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Светлана",

 г. Санкт-Петербург

420

  210*

 

 

 

 

420

  210

создание новых производственных мощностей для выпуска микроэлектронных датчиков физических величин и электронных датчиков для экспресс-контроля параметров крови и жизнедеятельности человека **

 

173.

Реконструкция и техническое перевооружение централизованного производства базовых несущих конструкций на федеральном государственном унитарном предприятии «Производственное объединение «Квант», г.Великий Новгород

300

150*

 

300

150

 

 

 

Обеспечение потребности в базовых несущих конструкциях, в том числе импортозамещающих, предприятий приборостроения, машиностроения, судостроения и других отраслей промышленности **

 

174.

Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов", г. Пенза

 

120

  60*

 

120

60

 

 

 

техническое перевооружение действующего производства электронной компонентной базы и микросистемотехники для создания новых рядов конкурентоспособных изделий электронной техники**

 

175.

Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт электронной техники", г. Воронеж

 

60

  30*

60

  30

 

 

 

 

техническое перевооружение действующих производственных мощностей по выпуску сверхбольших интегральных схем и мощных сверхвысокочастотных транзисторов с объемом выпуска сверхбольших интегральных схем 50 тыс. штук в год, мощных сверхвысокочастотных транзисторов 10 тыс. штук в год **

 

176.

Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт электронных материалов", 

г. Владикавказ

 

100

  50*

 

 

50

25

50

25

 

техническое перевооружение производства новых электронных материалов, используемых в микросистемотехнике, микроэлектронике и квантовой электронике**

 

177.

Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Производственное объединение "Октябрь",

г. Каменск-Уральский,

Свердловская область

 

200

  100*

 

 

60

30

140

70

 

создание новых производственных мощностей по выпуску оптоволоконных соединителей изделий микромеханики**

 

178.

Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Авангард", г. Санкт-Петербург

200

  100*

 

100

50

100

50

 

 

создание спецтехнологической линии, включающей чистые производственные помещения и технологическое оборудование для выпуска современных микроэлектромеханических и микроакустоэлектромеханических систем мирового класса**

 

179.

Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия

"Научно-исследователь-ский институт физических проблем имени Ф.В.Лукина", г. Москва

 

160

  80*

 

 

 

 

160

  80*

организация серийного производства параметрических рядов мембранных датчиков (10 млн. штук в год ) и чувствительных элементов для сканирующей зондовой микроскопии (0,3 млн. штук в год)**

 

180.

Реконструкция и техническое перевооружение производства перспективных тонкостенных антенно-фидерных устройств и волноводных трактов сверхвысокочастотного диапазона в открытом акционерном обществе "Рыбинский завод приборостроения",

г. Рыбинск, Ярославская область

 

840

  420*

 

 

 

120

60

60

30

660

330

расширение производства перспективных тонкостенных антенно-фидерных устройств и волноводных трактов сверхвысокочастотного диапазона, увеличение выпуска в 1,5 раза**

 

181.

Техническое перевооружение и реконструкция технологической и лабораторной базы производства и контроля перспективных радиоэлектронных модулей в открытом акционерном обществе "Челябинский радиозавод "Полет", г. Челябинск

 

1000

  500*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1000

500

 

 

увеличение объемов производства модулей для обработки и передачи сигналов радиолокационных, навигационных и посадочных систем до 250 штук в год, рост объемов производства на 500 - 750 млн. рублей**

182.

Техническое перевооружение и реконструкция  производства и  лабораторной базы для разработки и производства перспективных радиоэлектронных модулей, изделий в открытом акционерном обществе "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва

 

1800

  900*

 

 

 

 

1800

900

повышение эффективности, надежности и конкурентоспособности отечественных радиоэлектронных модулей, изделий, комплексов и систем открытого акционерного общества "Концерн радиостроения "Вега"**

183.

Техническое перевооружение и реконструкция производственно-технологической, контрольно-испытательной базы нового поколения антенных систем дистанционного зондирования Земли в открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт "Кулон",

г. Москва

 

1200

  600*

 

 

 

 

 

1200

600

повышение надежности и качества конечной продукции открытого акционерного общества "Концерн радиостроения "Вега", создание конкурентоспособных изделий мирового уровня, увеличение годового объема производства  до 6 систем в год**

184.

Техническое перевооружение для создания производства нового поколения радиоэлектронных модулей в открытом акционерном обществе "Научно-производственное предприятие "Рубин", г. Пенза

 

350

  175*

 

 

 

100

50

110

55

140

70

 

создание комплексного испытательного стенда для исследования образцов техники**

 

 

 

 

 

185.

Техническое перевооружение и реконструкция  производственно-технологической, контрольно-испытательной базы в открытом акционерном обществе "Инженерно-маркетинговый центр Концерна радиостроения "Вега",

г. Москва

 

400

  200*

 

 

 

 

 

 

 

 

60

30

60

30

280

140

производство систем радиочастотной идентификации до 10 тыс. штук в год **

186.

Техническое перевооружение и реконструкция мощностей для производства микропроцессорных систем управления и контроля гибридных двигательных установок различного класса в открытом  акционерном обществе "Конструкторское бюро "Луч", г. Рыбинск, Ярославская область

 

1000

  500*

 

 

 

 

1000

500

обеспечение производства микропроцессорных систем управления и контроля гибридных двигательных установок различного класса в объеме до 1000 штук в месяц**

187.

Реконструкция и техническое перевооружение в целях создания специализированного производства прецизионных лазерных и пьезо-керамических гироскопов в открытом акционерном обществе "Ижевский электромеханический завод  "Купол", г. Ижевск, Удмуртская Республика

 

1720

  860*

 

 

 

 

 

1720

860

изготовление прецизионных лазерных и пьезокерамических гироскопов для перспективных летательных аппаратов**

 

 

188.

Техническое перевооружение и реконструкция специализированного производства унифицированных низкочастотных типовых элементов замены и модулей активных фазированных антенных решеток в открытом акционерном обществе "Марийский машиностроительный завод", г. Йошкар-Ола

 

 

 

 

1220

  610*

 

 

 

 

 

1220

610

изготовление унифицированных твердотельных низкочастотных типовых элементов замены для информационных средств и модулей активных фазированных антенных решеток для локационных систем различного  применения, перспективных средств связи и управления воздушным движением**

 

189.

Реконструкция и техническое перевооружение производства унифицированных электронных модулей межвидового применения на федеральном государственном унитарном предприятии "Нижегородский научно-исследовательский институт радиотехники", г. Нижний Новгород

 

720

  360*

 

 

 

 

720

  360

организация производства и внедрение современной технологии с соответствующим переоснащением высокопроизводительным оборудованием, увеличение  объема ежегодного производства продукции с 2370 млн. рублей в 2007 году до 5028 млн. рублей в 2015 году**

190.

Техническое перевооружение и реконструкция  специализированного производства твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток в открытом акционерном обществе "Научно-производственное объединение "Правдинский радиозавод", г. Балахна, Нижегородская область

 

 

970

  485*

 

110

55

60

30

70

35

730

365

увеличение объемов производства, повышение качества и надежности твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток L-диапазона для перспективных средств связи и управления воздушным движением **

 

191.

Техническое перевооружение и реконструкция  специализированного производства твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток в открытом акционерном обществе "Научно-производственное объединение "Лианозовский электромеханический завод", г. Москва

 

 

 

1230

  615*

 

 

 

 

 

1230

615

 

увеличение объемов производства, повышение качества и надежности твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток С- и S-диапазонов волн, для перспективных средств связи и управления воздушным движением**

192.

Техническое перевооружение и реконструкция  специализированного производства приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток в открытом акционерном обществе "Новосибирский завод им. Коминтерна", г. Новосибирск

 

 

 

 

450

  225*

 

100

50

160

80

190

95

 

изготовление приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток С- и сверхвысокочастотного диапазона волн для информационных средств и информационно-управляющих систем, увеличение объема производства

в 1,8 раза**

 

193.

Техническое перевооружение и реконструкция  специализированного производства унифицированных высокочастотных типовых элементов замены в открытом акционерном обществе "Рязанский завод "Красное Знамя", г. Рязань

 

800

  400*

 

 

 

 

 

800

400

 

изготовление унифицированных твердотельных высокочастотных типовых элементов замены для локационных систем различного  применения, перспективных средств связи и управления воздушным движением, увеличение объема производства типовых элементов замены в 1,5 раза**

194.

Техническое перевооружение и реконструкция  специализированного производства унифицированных рабочих мест операторов информационных систем в открытом акционерном обществе "Уральское производственное предприятие "Вектор", г. Екатеринбург

 

960

  480*

 

 

 

 

 

960

480

 

 

увеличение выпуска унифицированных автоматизированных рабочих мест операторов информационных и специального назначения управляющих систем в 1,7 раза**

195.

Реконструкция и техническое перевооружение для создания регионального контрактного производства унифицированных электронных модулей в открытом акционерном обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж

 

960

   480*

 

 

 

 

960

480

внедрение современных технологий с соответствующим переоснащением высокопроизводительным оборудованием для организации контрактного производства**

 

196.

Создание лабораторной, технологической и производственной базы для обеспечения разработки, производства и испытаний нового поколения телекоммуникационных систем и комплексов в открытом акционерном обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж

 

2060

  1030*

 

 

 

 

 

2060

1030

 

 

создание конкурентоспособной продукции мирового уровня, освоение технологий двойного назначения, увеличение объема выпуска изделий

до 2 - 2,5 млрд. рублей в год**

197.

Реконструкция и техническое перевооружение производства перспективной наземной аппаратуры  связи в открытом акционерном обществе "Рязанский радиозавод", г. Рязань

 

160

  80*

 

 

40

20

40

20

80

40

 

увеличение объема выпуска продукции в 1,4 - 1,5  раза, повышение качества и конкурентоспособности продукции**

 

198.

Реконструкция и техническое перевооружение производства перспективных коротковолновых радиостанций в открытом акционерном обществе "Тамбовский завод "Октябрь", г. Тамбов

 

490

 245*

 

 

 

50

25

60

30

380

190

увеличение объема выпуска продукции в 1,3 - 1,5  раза, повышение качества и конкурентоспособности продукции**

 

 

199.

Реконструкция и техническое перевооружение  производства наземной аппаратуры подвижной связи в открытом акционерном обществе "Тамбовский завод "Революционный труд", г. Тамбов

 

350

  175*

 

 

 

 

350

175

модернизация производства и внедрение современной технологии с соответствующим переоснащением высокопроизводительным оборудованием**

 

200.

Техническое перевооружение и реконструкция  производственно-технологической и лабораторно-испытательной базы в открытом акционерном обществе "Воронежский научно-исследовательский институт "Вега", г. Воронеж

 

600

  300*

 

90

45

50

25

60

30

400

200

ускорение и повышение качества разработки мультисервисных сетей ведомственной и профессиональной связи, ожидаемый экономический эффект 3 млрд. рублей**

 

201.

Техническое перевооружение и реконструкция  лабораторной и производственно-технологической базы нового поколения узлов связи в открытом акционерном обществе "Тамбовский научно-исследовательский институт радиотехники "Эфир", г. Тамбов

 

220

  110*

 

60

30

80

40

80

40

 

ускорение и повышение качества разработки перспективных программно реализуемых сетей радиосвязи и серии унифицированных электронных модулей для построения указанных сетей**

202.

Техническое перевооружение производства открытого акционерного общества "Богородицкий завод технохимических изделий", г. Богородицк, Тульская область

 

 

1520

  760*

 

 

 

 

 

1520

760

 

серийное производство монокристаллических и мультикристаллических пластин кремния; производство детекторов на основе новых высокотемпературных кристаллов сцинтилляторов**

203.

Создание серийного производства инфракрасных оптоэлектронных компонентов в открытом акционерном обществе "РЭ Комплексные системы",

г. Санкт-Петербург

 

1120

  560*

 

 

 

 

1120

560

серийное производство инфракрасных оптоэлектронных компонентов и комплекса электронных средств для обеспечения безопасности промышленных объектов**

204.

Техническое перевооружение с целью создания производства новых электровакуумных приборов на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное предприятие

"Контакт", г. Саратов

 

320

  160*

100

50

100

50

120

60

 

 

увеличение объемов производства

в 1,5 раза**

205.

Техническое перевооружение и реконструкция  производства  по выпуску электровакуумных приборов сверхвысокочастотного диапазона и специального технологического оборудования в открытом акционерном обществе "Владыкинский механический завод",

г. Москва

 

300

  150*

100

50

100

50

100

50

 

 

обеспечение увеличения объема выпуска продукции до 0,8 - 1,2 млрд. рублей в год, увеличения ресурса изделий, создания  новых приборов**

206.

Техническое перевооружение для создания сборочного производства электронных модулей с использованием новейшей электронной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Электромеханический завод "Звезда", г. Сергиев Посад,

Московская область

 

800

  400*

 

 

 

 

800

400

создание сборочного производства с использованием микроминиатюрной элементной базы, в том числе микропроцессоров и матриц BGA**

207.

Реконструкция и техническое перевооружение с целью создания контрактного производства электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Калужский завод телеграфной аппаратуры", г. Калуга

 

420

  210*

 

 

 

 

 

420

210

увеличение объема выпуска продукции до 520 млн. рублей в год**

 

 

208.

Техническое перевооружение и реконструкция  производства и приборно-измерительной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Таганрогский научно-исследовательский институт связи", г. Таганрог

 

302

  151*

 

 

 

 

 

302

151

 

внедрение современных технологий, создание комплекса для проведения контроля технологических параметров и испытаний. Увеличение объема выпуска продукции в 1,5 раза**

209.

Техническое перевооружение и реконструкция пилотной технологической линии по изготовлению наногетероструктурных сверхвысокочастотных транзисторов и монолитных интегральных схем для систем связи, измерительной техники, радиолокации и сверхвысокочастотной радиометрии на федеральном государственном унитарном предприятии "Институт сверхвысокочастотной  полупроводниковой электроники Российской Академии наук",

г. Москва

 

480

  240*

 

 

 

 

480

240

производство наногетероструктурных сверхвысокочастотных транзисторов и монолитных интегральных схем для систем связи, измерительной техники, радиолокации и сверхвысокочастотной радиометрии**

210.

Техническое перевооружение и реконструкция производства испытательной базы нового поколения пьезоэлектрических генераторов, фильтров, резонаторов в открытом акционерном обществе "Завод "Метеор", г. Волжский, Волгоградская область

 

300

  150*

 

 

 

 

300

150

производство полного функционального ряда массовых отечественных микроминиатюрных пьезоэлектрических генераторов, фильтров, резонаторов.

Увеличение объема выпуска продукции до 230 - 250 млн. рублей в год**

211.

Реконструкция и техническое перевооружение научно-производствен-ной и лабораторной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Ордена Трудового Красного Знамени федеральный научно-производственный центр по радиоэлектронным системам и информационным технологиям имени В.И.Шимко",

г. Казань

 

400

  200*

 

 

 

 

400

 200

расширение производственных площадей выпуска приемо-передающих модулей на 720 кв.м**

212.

Техническое перевооружение с целью создания  контрактного производства  унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Нижегородский завод имени М.В.Фрунзе",

г. Нижний Новгород

 

400

  200*

 

 

 

 

400

 200

организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,8 раза**

213.

Техническое перевооружение с целью создания  контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Омское производственное объединение "Иртыш",

г. Омск

 

300

  150*

120

  60

180

  90

 

 

 

организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение  объема производства контрактной продукции в 2,5 раза**

 

 

Мероприятия

2008 - 2015 годы - всего

В том числе

Ожидаемые результаты

2008 год

2009 год

2010 год

2011 год

2012 - 2015 годы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

214.

Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей в открытом акционерном обществе "Авангард",

г. Санкт-Петербург

 

300

  150*

 

 

 

 

300

150

организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,5 раза**

215.

Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства по изготовлению печатных плат выше 5-го класса точности и унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Пензенское производственное объединение "Электроприбор", г. Пенза

 

1000

  500*

 

 

 

 

1000

500

обеспечение изготовления печатных плат с новыми финишными покрытиями до

20 000 кв.м в год;

обеспечение изготовления унифицированных электронных модулей на печатных платах в количестве до 400 тыс. штук в год**

216.

Техническое перевооружение и реконструкция  производства электронных сверхвысокочастотных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт "Кварц",

г. Нижний Новгород

 

600

  300*

 

 

 

 

600

300

внедрение современной технологии с соответствующим переоснащением высокопроизводительным оборудованием. Увеличение  объема выпуска продукции в 1,5 раза**

217.

Техническое перевооружение и реконструкция  производства систем, комплексов и  средств,  защиты информации на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт автоматики", 

г. Москва

 

510

  255*

 

 

 

 

510

255

обеспечение разработки, производства и аттестации средств комплексов и систем защиты информации. Увеличение объема  выпуска продукции до 0,8 - 1,2 млрд. рублей**

218.

Техническое перевооружение и реконструкция регионального производства базовых несущих конструкций (БНК) на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно-исследовательский институт "Градиент",

г. Ростов-на-Дону

 

300

  150*

 

 

 

 

300

150

обеспечение потребности организаций в базовых несущих конструкциях для всех видов радиоэлектронной аппаратуры. Увеличение объема выпуска продукции в 2 раза**

 

219.

Реконструкция и техническое перевооружение производственно-технологической и лабораторно-испытательной  базы для создания комплексов средств автоматизации информационно-управляющих систем на федеральном государственном унитарном предприятии "Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследователь-ский институт автоматической аппаратуры

им. академика В.С.Семенихина",

г. Москва

 

360

  180*

 

 

 

 

360

180

обеспечение разработки, производства и аттестации комплексов средств автоматизации информационно-управляющих систем. Увеличение объема выпуска продукции до 0,52 млрд. рублей**

220.

Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Калугаприбор", г. Калуга

 

300

  150*

 

 

 

 

300

150

организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,8 раза**

221.

Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Ростовский-наДону научно-исследовательский институт радиосвязи",

г. Ростов-на-Дону

 

300

  150*

 

 

 

 

300

150

организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема  производства контрактной продукции в 1,7 раза**

 

222.

Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства  унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследователь-ский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С.Семенихина",

г. Москва

 

300

  150*

 

 

 

 

300

150

организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение  объема производства контрактной продукции в 2,5 раза**

 

223.

Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Курский завод "Маяк", г. Курск

 

300

  150*

 

 

 

 

300

150

организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение  объема производства контрактной продукции в 2,5 раза**

224.

Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт "Полюс" имени М.Ф.Стельмаха",

г. Москва

 

400

  200*

 

 

 

 

400

200

организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,8 раза**

 

225.

Техническое перевооружение с целью создания  контрактного производства  унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт телевидения",

г. Санкт-Петербург

 

300

  150*

 

 

 

 

300

150

организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,7 раза**

 

226.

Техническое перевооружение с целью создания мощностей по выпуску источников вторичного электропитания в открытом акционерном обществе "Специальное конструкторско-технологическое бюро по релейной технике",

г. Великий Новгород

 

240

  120*

 

 

 

 

240

120

увеличение объема производства

в 1,5 раза**

227.

Реконструкция и техническое перевооружение  производства и испытательной базы  широкополосных сверхвысокочастотных устройств на федеральном государственном унитарном предприятии "Брянский электромеханический завод", г. Брянск

 

400

  200*

 

 

 

 

 

400

200

 

увеличение объема производства радиоэлектронных изделий на 170 млн.  рублей**

228.

Техническое перевооружение и реконструкция производственно-испытательных мощностей на федеральном государственном унитарном предприятии "Государственное конструкторское бюро аппаратно-программных средств "Связь",

г. Ростов-на-Дону

 

100

  50*

 

 

 

 

100

50

увеличение объема выпуска продукции на 100 млн. рублей, освоение серийного производства изделий "Орион-3М", "Орион-3СМ", "Анализ", "Страж-ПМ" и других **

229.

Техническое перевооружение и реконструкция научно-технического и производственного комплексов по выпуску электровакуумных приборов сверхвысокочастотного диапазона на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное предприятие "Торий", г.Москва

 

800

  400*

 

 

 

 

800

400

увеличение объема выпуска продукции до 1,5 - 2 млрд. рублей в год, снижение себестоимости продукции**

230.

Техническое перевооружение и реконструкция регионального производства базовых несущих конструкций на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-

производственное предприятие "Полет",

г. Нижний Новгород

 

300

150*

200

100

100

50

 

 

 

увеличение объема выпуска продукции

в 2 раза**

231.

Техническое перевооружение и реконструкция производства, метрологической и стендовой базы для  наноструктурированных материалов, слоистых структур и композитов на их основе в открытом акционерном обществе "Центральный научно-исследовательский технологический институт "Техномаш", г. Москва

 

480

  240*

 

 

 

 

480

240

организация производства базисных материалов и элементов для разработки приборов и устройств контроля сверхмалых количеств химических и биологических веществ с использованием наноструктурированных материалов, слоистых структур и композитов на их основе**

 

232.

Реконструкция и техническое перевооружение испытательного центра для обеспечения комплекса работ по корпусированию и испытаниям сложнофункциональных интегральных схем в открытом акционерном обществе "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт",

г. Санкт-Петербург

 

400

  200*

 

 

 

 

400

200

увеличение объема производства изделий  до 1,9 млн. штук и 650 млн. рублей**

 

233.

Реконструкция и техническое перевооружение технологической линии по производству прецизионных многослойных печатных плат на федеральном государственном унитарном предприятии "Омский приборостроительный ордена Трудового Красного Знамени завод им. Н.Г.Козицкого", г. Омск

 

700

  350*

 

 

 

 

700

 350

увеличение объема выпуска продукции на 2 млрд. рублей**

234.

Реконструкция и техническое перевооружение производственно-технологической и лабораторно-испытательной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт "Экран", г. Самара

 

806

  403*

220  110

176

  88

190  95

220

 110

 

создание конкурентоспособных изделий мирового уровня. Разработка технологий двойного назначения. Увеличение объема производства в 1,5 раза**

235.

Реконструкция и техническое перевооружение производственно-технологической и лабораторной базы для комплексов специальной радиосвязи и управления на федеральном государственном унитарном предприятии "Омский научно-исследовательский институт приборостроения",

г. Омск

 

720

  360*

 

 

 

 

720

360

создание комплексов конкурентоспособной аппаратуры специальной радиосвязи и управления. Увеличение объема выпуска продукции  в 1,5 раза**

236.

Реконструкция и техническое перевооружение моделирующего центра в открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт вычислительных комплексов им. М.А.Карцева", г. Москва

 

280

  140*

 

 

 

 

280

140

повышение конкурентоспособности, снижение сроков разработки на 4 - 5 месяцев.

Создание поведенческих моделей систем реального времени, использование систем поддержки принятия решений, проведение и анализ полунатурных испытаний, отработка алгоритмов искусственного интеллекта.

Сокращение сроков испытания

в 1,5 - 2 раза. Применение CALS-технологий с целью сокращения затрат и поддержки жизненного цикла разрабатываемых систем**

 

237.

Техническое перевооружение и реконструкция производственно-технологической и лабораторно-испытательной базы  по созданию модернизированной системы идентификации на федеральном государственном унитарном предприятии "Пензенское производственное объединение электронной вычислительной техники", г. Пенза

 

560

  280*

 

 

 

 

 

560

280

 

увеличение объема выпуска продукции до 421,5 млн. рублей**

 

238.

Техническое перевооружение и реконструкция метрологической, испытательной базы и производства оптических изделий на федеральном государственном унитарном предприятии "Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород

 

600

  300*

 

 

 

 

600

300

создание метрологической, испытательной базы для разработки и производства контрольно-измерительной аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн.

Увеличение объема производства квантовых рубидиевых стандартов частоты в 3 раза**

239.

Техническое перевооружение и реконструкция  стендовой и испытательной базы сложных радиоэлектронных систем и комплексов в открытом акционерном обществе "Производственное объединение "Азимут",

г. Махачкала

 

180

  90*

 

 

 

 

180

90

создание сверхширокополосных измерительных комплексов для измерения параметров одиночных антенн и линейных, плоских и объемных решеток систем навигации, посадки и радиолокации в ближней и дальней зонах (до 1000 м)  и модернизация существующей в организации испытательной базы для проведения научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ**

 

240.

Реконструкция и техническое перевооружение производственно-технологической и лабораторно-испытательной базы в открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов", г. Томск

 

570

  285*

 

 

 

70

 35

500

250

увеличение объема выпуска продукции до 3 - 3,5 млрд. рублей в год**

 

241.

Техническое перевооружение и реконструкция производства сверхвысокочастотной техники на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное предприятие "Салют",

г. Нижний Новгород

 

1160

  580*

 

 

 

60

30

1100

550

увеличение объема производства монолитно-интегральных и гибридно-монолитных приборов и электронных компонентов (в том числе импортозамещающих) до 250 тыс. штук в год, электровакуумных и вакуумно-твердотельных модулей (в том числе на основе микроминиатюрных ламп бегущей волны) до 1 тыс. штук в год, унифицированных приемо-передающих модулей (в диапазоне частот 20 - 150 ГГц) до 1,5 тыс. штук в год**

 

242.

Реконструкция и техническое перевооружение для выпуска теплоотводящих керамических подложек для твердотельных сверхвысокочастотных устройств и IGBT-модулей в открытом акционерном обществе "Холдинговая компания "Новосибирский электровакуумный завод - Союз", г. Новосибирск

 

224

  112*

 

 

 

 

224

112

увеличение объема выпуска продукции до 761,5 млн.рублей в год. Серийный выпуск электронных компонентов, керамических подложек, керамических корпусов, обеспечивающих увеличение объемов производства в различных отраслях промышленности, сверхвысокочастотной техники и силовой полупроводниковой электроники**

243.

Техническое перевооружение и реконструкция опытного приборного производства в открытом акционерном обществе "Концерн "Океанприбор",

г. Санкт - Петербург

 

640

  320*

 

 

 

 

640

320

реконструкция опытного производства с учетом реализации новых технологий по изготовлению интегральных сборок, датчиков на пьезопленках и других **

244.

Реконструкция и техническое перевооружение организации для совершенствования судовой электротехнической продукции в открытом акционерном обществе "Научно-производственное объединение "Марс",

г. Ульяновск

 

832

  416*

 

 

 

 

140

70

692

346

комплексное дооснащение базовых технологий производства электронных средств вычислительной техники с целью импортозамещения и повышения конкурентоспособности;

создание экспериментально-лабораторного комплекса для  проведения контроля технологических параметров и испытаний**

 

245.

Реконструкция и техническое перевооружение опытно-экспериментального производства модулей функциональной микроэлектроники в открытом акционерном обществе "Концерн "Гранит-Электрон",
г. Санкт-Петербург

240

  120*

 

 

 

 

240

120

техническое перевооружение обеспечит:

внедрение современных технологий производства модулей функциональной микроэлектроники;

рост объема производства функциональных модулей в 2 - 2,5 раза;

расширение номенклатуры без существенных затрат на подготовку производства;

промышленное освоение технологий влагозащиты и электроизоляции модулей**

 

246.

Создание производственного комплекса для массового производства компонентов инерциальных микромеханических датчиков двойного назначения на федеральном государственном унитарном предприятии "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор",

г. Санкт-Петербург

 

1100

  550*

 

 

 

 

1100

550

создание участков по производству кремниевых датчиков, многослойных плат, сборке и корпусированию инерциальных микромеханических изделий**

 

247.

Реконструкция инженерно-испытательного корпуса в открытом акционерном обществе

"Концерн "Гранит-Электрон",
г. Санкт-Петербург

620

  310*

 

 

 

100

50

520

260

внедрение современных базовых технологий производства электронных модулей цифровой и цифроаналоговой вычислительной техники;

обеспечение разработки и производства базовых унифицированных электронных модулей. Увеличение объема поставок до 10000 штук**

 

 

 

248.

Техническое перевооружение производственно-технологического комплекса по созданию оптико-электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производствен-ное объединение "Государственный институт прикладной оптики", г. Казань

 

460

  230*

 

 

 

160

80

300

150

создание новой оптической элементной базы перспективных оптико-электронных систем, обеспечивающей предельно возможные технические параметры систем, в том числе комплексированных и многоспектральных оптических каналов**

249.

Реконструкция производственно-испытательного комплекса федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственная корпорация "Государственный оптический институт имени С.И. Вавилова", г. Санкт-Петербург

 

640

  320*

 

 

 

 

640

320

разработка, испытания, опытные поставки и серийное производство новых видов оптико-электронных систем, обеспечивающих предельно возможные технические параметры изделий**

250.

Реконструкция корпуса 2Ж для создания лабораторно-аналитического центра инфракрасной фото- и оптоэлектроники на федеральном государственном унитарном предприятии "НПО "Орион",

г. Москва

 

700

  350*

 

 

 

 

700

350

создание единого аналитического центра по исследованиям и сертификации важнейших материалов и компонентов инфракрасной фотоэлектроники**

251.

Техническое перевооружение производственно-технологического комплекса по созданию оптоэлектронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "НПО "Орион", г. Москва

 

3720

  1860*

 

 

 

 

3720

1860

создание производственно-технологического комплекса, который обеспечит промышленный выпуск изделий  компонентной базы 2-го и 3-го поколений и оптико-электронных систем на их основе с параметрами, превышающими современный и прогнозируемый мировой уровень**

 

252.

Техническое перевооружение производственно-технологической базы в открытом акционерном обществе "Московский завод "Сапфир", г. Москва

 

600

  300*

 

 

 

 

600

300

создание инфракрасных матричных фотоприемных устройств нового поколения и организация на их основе производства тепловизионной аппаратуры широкого применения**

 

253.

Модернизация стендово-экспериментальной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт авиационного оборудования",

г. Жуковский, Московская область

 

420

  210*

 

 

 

140

70

280

140

обеспечение возможности проведения испытаний опытных образцов источников электроэнергии, статических преобразователей и аппаратуры защиты и коммутации для проекта "полностью электрический самолет"**

 

254.

Техническое перевооружение производственной базы, освоение инновационных технологий для изготовления радиоэлектронных изделий авиационной техники с использованием новых уровней технологий на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследователь-ский институт авиационного оборудования",

г. Жуковский, Московская область

 

520

  260*

 

 

 

 

520

260

изготовление конкурентоспособных изделий авиационной техники, соответствующих современным и перспективным международным стандартам**

 

 

255.

Реконструкция и техническое перевооружение экспериментально-технологической базы для производства микроэлектронных изделий на федеральном государственном унитарном предприятии "Казанское приборостроительное конструкторское бюро", г. Казань

 

376

  188*

 

 

 

100

50

276

138

создание производственных мощностей по производству современной микроэлектронной аппаратуры**

256.

Реконструкция и техническое перевооружение цеха по производству первичных преобразователей и вторичной аппаратуры на федеральном государственном унитарном предприятии "Казанское приборостроительное конструкторское бюро", г. Казань

 

230

  115*

 

 

 

 

230

115

производство конкурентоспособной продукции, обладающей современными показателями по надежности, быстродействию и массогабаритным характеристикам**

 

257.

Реконструкция и техническое перевооружение производства электронных систем самолетного энергоснабжения в открытом акционерном обществе "Агрегатное конструкторское бюро "Якорь", г. Москва

 

458

  229*

 

 

 

160

80

298

149

серийное производство широкой номенклатуры  статических преобразователей напряжения авиационных перспективных объектов (проект "полностью электрический самолет", истребитель 5-го поколения, программа развития гражданской авиационной техники)**

 

258.

Создание электронного полигона по исследованиям, отработке и сертификации бортового авиационного радиоэлектронного оборудования на федеральном государственном унитарном предприятии "Летно-испытательный институт имени М.М.Громова",

г. Жуковский, Московская область

 

1070

  535*

 

 

 

 

1070

535

полигон позволит проводить работы с радиоэлектронной аппаратурой в условиях реального полета с учетом информационного взаимодействия с наземными и самолетными системами обеспечения воздушного движения в реальных условиях естественных и промышленных помех**

259.

Создание центра сертификации аппаратных средств бортовой вычислительной техники на федеральном государственном унитарном предприятии "Государственный научно-исследователь-ский институт авиационных систем", г. Москва

 

 

400

  200*

 

 

 

 

400

200

создание новой позиции для проведения сертификации аппаратных модулей бортовой вычислительной техники, включающей:

аппаратное и программное оснащение центра сертификации;

создание и освоение базовых инженерных методик проведения сертификации;

акты ввода в эксплуатацию центра сертификации**

 

260.

Создание распределенной отраслевой стендово-имитационной среды исследований, отработки прикладного математического обеспечения, отладки и испытаний систем и комплексов авиационного бортового радиоэлектронного оборудования на федеральном государственном унитарном предприятии "Государственный научно-исследователь-ский институт авиационных систем", г. Москва

 

500

  250*

 

 

 

 

500

250

создание распределенной информационно-связанной сети стендов, на которой будут проводиться исследования архитектур и информационных потоков, соответствующих различным условиям полета, интерфейсов, отработка системного и функционального математического обеспечения, отладка прикладного математического обеспечения и радиоэлектронной бортовой аппаратуры, наземные сертификационные испытания радиоэлектронных систем и комплексов**

 

261.

Техническое перевооружение производства в открытом акционерном обществе "Научно-производственный комплекс "Технокомплекс",

г. Раменское,

Московская область

1040

  520*

 

 

 

 

1040

520

освоение:

базовой конструкции фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона на основе применения отечественной электронной компонентной базы;

технологии создания фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона на основе применения отечественной электронной компонентной базы**

 

262.

Техническое перевооружение участков монтажа электронных систем и электронно-оптических модулей на федеральном государственном унитарном предприятии Санкт-Петербургское особое конструкторское бюро "Электроавтоматика",

г. Санкт-Петербург

296

  148*

 

 

 

 

296

148

ввод в эксплуатацию производственных линий с высокой степенью автоматизации производства современной авиационной радиоэлектронной и оптико-электронной аппаратуры для коммерческой и военной авиации**

2. Реконструкция и техническое перевооружение

для создания базовых центров системного проектирования

 

263.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт микроэлектронной аппаратуры "Прогресс", г. Москва, для создания межотраслевого центра проектирования

160

  80*

 

 

60

30

100

50

 

создание межотраслевого базового центра системного проектирования площадью 800 кв. м**

264.

Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Информационные телекоммуникационные технологии", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра полного цикла проектирования и производства аппаратно-программных комплексов

 

120

  60*

120

60

 

 

 

 

создание базового центра системного проектирования производительностью 40 аппаратно-программных комплексов в год**

265.

Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Московский научно-исследовательский институт "Агат", г. Жуковский, Московская область, для создания базового центра проектирования

 

120

  60*

 

 

120

60

 

 

создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв.м**

266.

Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Всероссийский научно-исследовательский институт радиотехники", г. Москва, для создания базового центра проектирования

 

80

  40*

 

30

15

 

50

25

 

создание базового центра системного проектирования площадью

400 кв. м**

267.

Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон", г. Москва, для создания базового центра проектирования

 

460

  230*

 

60

30

140

70

260

130

 

создание базового центра системного проектирования площадью 1000 кв.м**

268.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт автоматики", г. Москва, для создания базового центра проектирования

 

60

  30*

 

60

30

 

 

 

создание базового центра системного проектирования площадью 250 кв.м**

269.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Восток", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования

 

140

  70*

 

 

 

140

70

 

создание базового центра системного проектирования площадью 600 кв.м**

270.

Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Концерн "Созвездие", г. Воронеж, для создания базового центра проектирования

 

200

  100*

 

 

80

40

120

60

 

создание базового центра системного проектирования площадью 700 кв.м**

271.

Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва, для создания базового центра проектирования

 

200

  100*

 

 

80

40

120

60

 

создание базового центра системного проектирования площадью 700 кв.м**

272.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи",

г. Ростов-на-Дону, для создания базового центра проектирования

 

120

  60*

 

 

120

60

 

 

создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв.м**

273.

Реконструкция и техническое перевооружение действующего предприятия федеральное государственное унитарное предприятие "Омский научно-исследователь-ский институт приборостроения", г. Омск (развитие базового центра системного проектирования СБИС)

 

34

  17

34

  17

 

 

 

 

создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв.м**

274.

Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества «Российский институт радионавигации и времени», г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования

 

120

  60*

 

 

 

120

60

 

создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв.м**

275.

Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Светлана", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования

 

232

  116*

 

 

 

 

232

  116

создание базового центра системного проектирования площадью 800 кв.м**

276.

Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Центральный научно-исследовательский институт "Циклон",

г. Москва, для создания базового центра проектирования

 

360

  180*

 

 

160

80

200

100

 

создание базового центра системного проектирования площадью 800 кв.м**

277.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт "Аргон", г. Москва, для создания базового центра проектирования

 

120

  60*

120

60

 

 

 

 

создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв.м**

278.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "НПО "Орион", г. Москва, для создания базового центра проектирования

 

30

  15*

 

 

 

30

15

 

создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв.м**

279.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования

 

120

  60*

 

120

60

 

 

 

создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв.м**

280.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт телевидения",

г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования

 

160

  80*

160

  80

 

 

 

 

создание базового центра системного проектирования площадью 600 кв.м**

281.

Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Концерн "Океанприбор", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования

 

140

  70*

 

 

 

140

70

 

создание базового центра системного проектирования площадью 600 кв.м**

282.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород, для создания базового центра проектирования

 

180

  90*

180

90

 

 

 

 

создание базового центра системного проектирования площадью 650 кв.м**

283.

Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Корпорация "Тактическое ракетное вооружение", г. Королев, Московская область, для создания базового центра проектирования

 

160

  80*

160

80

 

 

 

 

создание базового центра системного проектирования площадью 650 кв.м**

284.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Государственный научно-исследовательский институт авиационных систем", г. Москва, для создания базового центра проектирования

 

120

  60*

120

60

 

 

 

 

создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв.м**

285.

Создание базового центра проектирования на базе федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственная корпорация "Государственный оптический институт имени С.И.Вавилова",

г. Санкт-Петербург

 

 

500

  250*

 

 

 

 

500

250

создание базового центра по проектированию, моделированию, изготовлению, тестированию и сертификации перспективных оптических систем и оптико-электронного оборудования**

 

286.

Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Концерн ПВО "Алмаз-Антей", 

г. Москва, для создания базового центра проектирования систем цифровой обработки, твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей

 

2200

  1100*

 

 

 

 

2200

1100

повышение качества и надежности систем цифровой обработки, систем твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей активных фазированных системных решеток С-диапазона для перспективных средств связи, управления воздушным движением и формирования сигналов на кристалле для радиолокационных станций различного  применения**

 

287.

Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра проектирования в открытом акционерном обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж

500

  250*

 

 

 

 

500

250

создание базового центра проектирования сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" для нового поколения аппаратуры и мобильных телекоммуникационных систем;

создание конкурентоспособных изделий для нового поколения мобильных телекоммуникационных систем гражданского и двойного назначения**

 

288.

Создание базового центра системного проектирования (дизайн-центра) радиоэлектронных модулей и узлов стационарных и мобильных средств автоматизации в открытом акционерном обществе "Научно-производствен-ное предприятие "Рубин",

г. Пенза

 

440

  220*

 

 

 

440

220

 

обеспечение производства комплексных средств автоматизации для  управления автомобильным и железнодорожным транспортом, объектами топливно-энергетического комплекса**

 

289.

Создание базового центра системного проектирования унифицированных электронных модулей на основе современной электронной компонентной базы в открытом акционерном обществе "Челябинский  радиозавод "Полет",

г. Челябинск

 

200

  100*

 

 

 

200

100

 

обеспечение возможности изготовления разработанных электронных модулей по современным технологиям;

повышение надежности и качества и ускорение разработки конкурентоспособных изделий мирового уровня;

разработка технологий двойного назначения**

 

290.

Создание базового центра системного проектирования унифицированных электронных модулей на основе современной электронной компонентной базы в открытом акционерном обществе "Рыбинский завод приборостроения",

г. Рыбинск, Ярославская область

 

 

200

  100*

 

 

200

100

 

 

обеспечение возможности изготовления разработанных электронных модулей по современным технологиям;

разработка технологий двойного назначения**

291.

Создание базового центра системного проектирования микроэлектронных модулей нового поколения на основе технологии "систем в модуле" двойного и специального применения в открытом акционерном обществе "Всероссийский научно-исследовательский институт "Эталон",

г. Москва

 

180

  90*

 

 

180

90

 

 

обеспечение проектирования, производства, испытаний, контроля, тестирования и сертификации перспективных изделий, включая климатические, механические, надежностные и другие специализированные испытания, а также сертификации выпускаемых изделий по требованиям различных категорий заказчиков и производств**

 

292.

Создание базового центра системного проектирования микроэлектронных модулей нового поколения на основе технологии "систем в модуле" двойного и специального применения в открытом акционерном обществе "Московский научно-исследовательский институт связи",

г. Москва

 

180

  90*

 

 

180

90

 

 

обеспечение проектирования, производства, испытаний, контроля, тестирования и сертификации перспективных изделий, включая климатические, механические, надежностные и другие специализированные испытания, а также сертификации выпускаемых изделий по требованиям различных категорий заказчиков и производств**

 

293.

Расширение базового центра системного
проектирования по
проектированию радиоэлектронной аппаратуры на базе сверхбольших интегральных схем "система на кристалле" в открытом акционерном обществе "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва

 

 

 

 

 

320

  160*

 

 

 

 

320

160

расширение возможностей и объемов базового центра системного проектирования, перевод ключевых проектов, выполняемых концерном, на  использование технологии современного системного проектирования.

Ускорение процесса получения готовых проектов не менее чем в 2 раза**

 

294.

Создание базового центра системного проектирования высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей в открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт "Кулон",

г.  Москва

 

210

  105*

 

 

 

210

105

 

обеспечение проектирования, производства высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей как ключевой технологии достижения высоких технических характеристик разрабатываемых и производимых изделий. Планируемый объем выпуска многокристальных модулей  -

до 3,5 тысяч штук в год **

 

295.

Создание базового центра системного проектирования высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей в открытом акционерном обществе "Конструкторское бюро "Луч", г. Рыбинск, Ярославская область

 

210

  105*

 

 

 

210

105

 

обеспечение проектирования, производства высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей как ключевой технологии достижения высоких технических характеристик разрабатываемых и производимых изделий. Планируемый объем выпуска многокристальных модулей -
до 3,5 тысяч штук**

 

296.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Московский ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский радиотехнический институт", г. Москва, для создания базового центра проектирования универсальных цифровых устройств, комплексов и систем на базе современных лицензионных систем автоматизированного проектирования и технических средств

500

  250*

 

 

 

 

 

500

250

 

создание базового центра проектирования и разработки высокопроизводительных сверхбольших интегральных схем и микропроцессорной техники, оснащенного современными средствами проектирования, разработки и отладки сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле", а также матричных корпусов для сверхбольших интегральных схем с большим количеством выводов, контроллеров перспективных периферийных интерфейсов для разработки на их базе перспективных сложнофункциональных блоков и радиоэлектронной аппаратуры для  систем и средств связи двойного и гражданского применения**

 

297.

Создание базового центра проектирования универсальных микропроцессоров, систем на кристалле, цифровых приборов обработки сигналов и других цифровых устройств, комплексов и систем на базе современных лицензионных систем автоматизированного проектирования и технических средств открытого акционерного общества "Институт электронных управляющих машин",

г. Москва.

 

370

  185*

 

 

120

60

 

100

50

 

150

75

 

 

создание базового центра разработки высокопроизводительной микропроцессорной техники двойного назначения, оснащенного современной технологией разработки многоядерных систем на кристалле, матричных корпусов для сверхбольших интегральных схем с большим количеством выводов, контроллеров перспективных периферийных интерфейсов для разработки на их базе высокопроизводительных вычислительных систем широкого применения**

 

298.

Техническое перевооружение и реконструкция  базового регионального научно-технологического центра по микросистемотехнике  федерального государственного унитарного предприятия "Омский  научно-исследовательский институт приборостроения",

г. Омск

 

 

840

  420*

 

 

 

 

840

420

ускорение проектирования и отработки технологии производства перспективных устройств микросистемотехники для комплектования аппаратуры управления, средств телекоммуникации и связи, высокоточного оружия, робототехнических комплексов, мониторинга окружающей среды, зданий и сооружений, систем трубопроводов, водо- и газоснабжения, цифровых и аналоговых устройств средств контроля, учета и дистанционного управления подачей энергоресурсов.

Ожидаемый экономический эффект составит 1500 млн. рублей**

 

299.

Реконструкция и техническое перевооружение центра системного проектирования и производства радиоэлектронных средств спутниковой связи федерального государственного унитарного предприятия

"Научно-производствен-ный центр "Вигстар", г. Москва

 

490

  245*

 

 

 

 

490

245

создание конкурентоспособных изделий мирового уровня для комплексов аппаратуры спутниковой связи. Разработка технологий двойного назначения**

300.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Алмаз",

г. Саратов, с целью создания дизайн-центра и производства сверхвысокочастотных и силовых устройств

 

1080

  540*

 

 

 

 

1080

540

создание дизайн-центра площадью 2000 кв.м и увеличение выпуска
продукции на 500 млн. рублей в год**

 

301.

Техническое перевооружение для создания центра проектирования перспективной электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт электронной техники", г. Воронеж

90

  45*

90

45

 

 

 

 

создание конкурентоспособной технологии автоматизированного проектирования кристаллов сверхбольших интегральных схем и систем на кристалле с проектными нормами 0,18 - 0,13 мкм и степенью интеграции до 100 млн. вентилей на кристалле, что позволит обеспечить ускоренную разработку сложнофункциональных блоков, сверхбольших интегральных схем и систем на кристалле, соответствующих по техническим характеристикам современным мировым образцам**

 

302.

Создание отраслевого центра системного уровня проектирования интеллектуальных датчиков различного назначения на федеральном государственном унитарном предприятии "Центральный научно-исследователь-ский институт "Электроприбор", г. Санкт-Петербург

 

340

  170*

 

 

 

 

340

170

организация современного центра системного уровня проектирования на основе отечественной электронной компонентной базы:

микромеханических датчиков;

датчиков акустического давления;

датчиков угловых перемещений и других**

303.

Создание отраслевого центра проектирования сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" в открытом акционерном обществе "Концерн "Моринформсистема-Агат", г. Москва

 

 

360

  180*

 

 

 

 

360

180

создание отраслевого центра проектирования  (дизайн-центра) сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" для обеспечения новейшей цифровой техникой приборостроительных организаций судостроительной отрасли**

3. Реконструкция и техническое перевооружение (включая приобретение программно-технических средств) для создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов

 

304.

Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Российская электроника", г. Москва (включая приобретение программно-технических средств) с целью создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления  фотошаблонов

 

1306

  653*

156

78

830

415

320

160

 

 

создание межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов с объемом производства не менее 1200 штук в год**

 

Итого по Роспрому

 

 

75600

37800

2790

1395

3740

1870

4340

2170

5740

2870

58990

29495

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО АТОМНОЙ ЭНЕРГИИ (РОСАТОМ)

 

1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

 

305.

Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Федеральный научно-производственный центр Научно-исследовательский институт измерительных систем имени 

Ю.Е.Седакова",

г. Нижний Новгород

 

140

  70*

 

 

80

40

60

30

 

создание технологического комплекса для производства сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на широкозонных полупроводниковых материалах**

306.

Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства структур "кремний на сапфире" для  субмикронных радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на федеральном государственном унитарном предприятии  "Федеральный научно-производствен-ный центр Научно-исследовательский институт измерительных систем  имени Ю.Е.Седакова",

г. Нижний  Новгород

 

440

  220*

 

 

 

 

440

220

создание производственно-технологического участка в межведомственном центре по разработке и производству радиационно стойкой электронной компонентной базы**

307.

Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства фотошаблонов субмикронных радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно-производственный центр Научно-исследователь- ский институт измерительных систем  имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

420

  210*

 

 

 

 

420

210

создание производственно-технологического участка в межведомственном центре по разработке и производству радиационно стойкой электронной компонентной базы**

 

 

 

 

 

 

 

 

 

308.

Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства структур "кремний на сапфире" с ультратонким приборным слоем для субмикронных радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на федеральном государственном унитарном предприятии  "Федеральный научно-производственный центр Научно-исследователь-ский институт измерительных систем  имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

 

380

  190*

 

 

 

 

380

190

создание производственно-технологического участка в межведомственном центре по разработке и производству радиационно стойкой электронной компонентной базы**

309.

Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства радиационно стойких изделий микроэлектроники с применением методов нанотехнологий на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики", г. Москва

 

400

  200*

 

 

 

 

400

200

создание производственно-технологического участка изготовления изделий микроэлектроники для систем автоматики специзделий**

310.

Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства быстродействующих радиационно стойких монолитных интегральных схем на федеральном государственном унитарном предприятии

"Федеральный научно-производственный центр Научно-исследователь-ский институт измерительных систем  имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

 

1060

  530*

 

 

 

 

1060

530

создание производственно-технологического участка в межведомственном центре по разработке и производству радиационно стойкой электронной компонентной базы**

311.

Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства радиационно стойких изделий оптоэлектроники на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно-производствен-ный центр Научно-исследовательский институт измерительных систем  имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

 

500

  250*

 

 

 

 

500

250

создание производственно-технологического участка в межведомственном центре по разработке и производству радиационно стойкой электронной компонентной базы**

312.

Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства радиационно стойких изделий микросистемотехники на федеральном государственном унитарном предприятии

"Федеральный научно-производственный центр Научно-исследователь-ский институт измерительных систем  имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

 

 

 

780

  390*

 

 

 

 

780

390

создание производственно-технологического участка в межведомственном центре по разработке и производству радиационно стойкой электронной компонентной базы**

313.

Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства радиационно стойких изделий микроэлектроники на федеральном государственном унитарном предприятии  "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследователь-ский институт экспериментальной физики", г. Саров, Нижегородская область

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

820

  410*

 

 

 

 

820

410

реконструкция производственно-технологических участков по изготовлению радиационно стойких изделий микроэлектроники**

2.Реконструкция и техническое перевооружение  для создания базовых центров системного проектирования

 

314.

Реконструкция дизайн-центра радиационно-стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно-производственный центр Научно-исследова- тельский институт измерительных систем   имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

 

200

100*

80

40

80

40

 

40

20

 

реконструкция дизайн-центра**

315.

Реконструкция дизайн-центра радиационно стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии  "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики", г. Москва

 

80

40*

 

 

 

 

80

40

реконструкция дизайн-центра**

316.

Реконструкция дизайн-центра радиационно стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики", г. Саров, Нижегородская область

 

80

40*

 

 

 

 

80

40

реконструкция дизайн-центра**

317.

Реконструкция дизайн-центра радиационно стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И.Забабахина",

г. Снежинск, Челябинская область

 

100

  50*

 

 

 

 

100

50

реконструкция дизайн-центра**

 

Итого по Росатому

5400

2700

80

40

80

40

80

40

100

50

5060

2530

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ФЕДЕРАЛЬНОЕ КОСМИЧЕСКОЕ АГЕНТСТВО (РОСКОСМОС)

 

1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

 

318.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Российский научно-исследовательский институт космического приборостроения",

г. Москва, с целью создания производства многокристальных систем в корпусе, микро- и радиоэлектронных модулей, в том числе на основе устройств микросистемной техники

 

320

160*

 

 

 

 

320

160

переоснащенное производство многокристальных систем в корпусе, микро- и радиоэлектронных модулей, в том числе на основе устройств микросистемной техники;

оснащенное отраслевое автоматизированное хранилище производимых и приобретаемых электронных компонентов со встроенной системой мониторинга и прогнозирования состояния хранимой продукции**

319.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт точных приборов", г. Москва, для создания производства модулей сверхвысокочастотных устройств для особо жестких условий эксплуатации

600

  300*

 

 

 

 

600

300

переоснащение производства по выпуску:

параметрического ряда модулей сверхвысокочастотных устройств;

узлов и крупноблочных радиоэлектронных функциональных модулей приемо-передающей аппаратуры.

Реализация указанных мероприятий обеспечивает:

сокращение сроков изготовления изделий радиолокационной техники и техники связи в 2 - 3 раза;

расширение  номенклатуры сверхвысокочастотных изделий в 1,5 раза**

 

320.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное объединение прикладной механики имени академика М.Ф. Решетнева",

г. Железногорск, Красноярский край, с целью создания производственной линии для изготовления облегченных сверхвысокочастотных волноводов миллиметрового диапазона

 

160

  80*

 

 

 

 

160

80

переоснащение производственной линии для выпуска облегченных сверхвысокочастотных волноводов;

увеличение производства сверхвысокочастотных волноводов с низким уровнем потерь и улучшенными массовыми характеристиками;.

оснащение отраслевого автоматизированного хранилища для модулей радиоэлектронных и навигационных систем со встроенной системой мониторинга и прогнозирования состояния хранимой продукции **

 

321.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное объединение автоматики имени академика Н.А.Семихатова",

г. Екатеринбург, для создания производства электромеханических и радиоэлектронных компонентов микромодульных средств автономного управления и контроля

200

  100*

 

 

 

 

200

100

дооснащение производства электромеханических и радиоэлектронных компонентов для микромодульных средств автономного управления и контроля;

увеличение производства изделий бортовой и промышленной радиоэлектроники на 35 процентов и более;

оснащение отраслевого автоматизированного хранилища для радиоэлектронных модулей со встроенной системой мониторинга и прогнозирования состояния хранимой продукции**

 

322.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт прецизионного приборостроения",

г. Москва, для создания производства лазерных средств высокоточных измерений

 

200

  100*

 

 

 

 

200

100

переоснащение производства модульных лазерных средств высокоточных измерений, дальнометрии и передачи информации в бортовых и промышленных системах различного назначения **

323.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Российский научно-исследовательский институт космического приборостроения", г. Москва, для создания отраслевой лаборатории контроля стойкости электронной компонентной базы радиоэлектронной аппаратуры к дестабилизирующим факторам космического пространства

200

  100*

 

 

 

 

200

100

создание межотраслевой лаборатории контроля стойкости электронной компонентной базы для специальной радиоэлектронной аппаратуры в условиях космического пространства, что обеспечит:

внедрение технологических процессов прямого (в том числе неразрушающего) контроля стойкости электронной компонентной базы и экспериментально-аналитического прогноза деградации характеристик электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры;

определение характеристик стойкости к условиям открытого космического пространства;

увеличение сроков активного функционирования аппаратуры до 20 лет **

 

324.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственный центр "Полюс", г. Томск, для технического перевооружения действующего производства

200

  100*

 

 

 

 

200

100

перевооружение производственных линий для изготовления встроенных модульных пассивных радиоэлементов для систем бортовой и промышленной радиоэлектроники и вторичных источников питания с совмещенными линиями передачи данных и электропитания;

расширение номенклатуры и увеличение производства встроенных вторичных источников питания с совмещенными линиями передачи данных и электропитания для средств бортовой и промышленной электроники на 70 процентов и более **

325.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследова­тельский институт микроприборов - К", г. Москва, для создания матричных оптико-электронных модулей на основе кремниевых мембран и гетеропереходов на основе арсенида галлия и нитрида галлия

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

200

  100*

 

 

 

 

200

100

переоснащение производства матричных оптико-электронных модулей для работы в составе оптико-электронных преобразователей высокого разрешения и матричных сверхвысокочастотных приборов для модулей фазированных антенных решеток, что позволит:

расширить номенклатуру выпускаемой мелкосерийной продукции в 2 раза;

увеличить объем выпускаемых дискретных и модульных элементов в 10 раз**

 

2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

 

326.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Российский научно-исследовательский институт космического приборостроения", г. Москва, для создания базового центра проектирования

 

610

305*

 

 

60

30

60

30

490

245

создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв.м**

327.

Реконструкция и техническое перевооружение для создания отраслевого центра автоматизированного проектирования гибридных микро- и наноэлектронных модулей сверхвысокочастотных устройств со встроенными пассивными и активными элементами на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт точных приборов", г. Москва

 

550

275*

120

60

120

60

60

30

60

30

190

95

создание отраслевого центра автоматизированного проектирования и функциональной поддержки процессов изготовления и эксплуатации параметрических рядов сверхвысокочастотных модулей унифицированных сверхвысокочастотных трактов, базовых несущих конструкций активных фазированных антенных решеток, радиолокационных и связных модульных приборов площадью 500 кв.м**

 

328.

Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового координационного центра системного проектирования унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Центральный научно-исследовательский институт машиностроения",

г. Королев, Московская область

 

600

300*

 

 

 

40

20

560

280

создание базового координационного центра площадью 300 кв.м для системного проектирования стандартных наборов конструктивных элементов для создания унифицированных электронных модулей субминиатюрных адаптивных и самообучающихся информационно-управляющих вычислительных систем и управляющих многопроцессорных больших цифровых вычислительных машин с элементами искусственного интеллекта**

 

329.

Реконструкция и техническое перевооружение для создания центра проектирования унифицированных микроэлектронных датчиков для работы в особо жестких условиях эксплуатации на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследователь-ский институт физических измерений", г. Пенза

 

280

140*

 

 

 

 

280

140

создание центра проектирования унифицированных микроэлектронных датчиков площадью 380 кв.м для проектирования унифицированных полупроводниковых микродатчиков и преобразователей физических величин в системах управления, контроля и диагностики динамических объектов**

330.

Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования интегральных микроэлектронных датчиков и датчикопреобразующей аппаратуры для особо жестких условий эксплуатации на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное объединение измерительной техники",  г. Королев, Московская область

 

 

200

100*

 

 

 

 

200

100

создание базового центра площадью

350 кв.м для системного проектирования с полным циклом проектирования и производства параметрического ряда интегральных микроэлектронных датчиков и нанодатчиков для контрольной аппаратуры на основе специализированных электронных узлов по технологии "кремний на изоляторе" для особо жестких условий

эксплуатации **

331.

Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра сквозного системного проектирования  на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производствен-ное предприятие Всероссийский научно-исследовательский институт электромеханики с заводом имени

А.Г.Иосифьяна",

г. Москва

 

420

210*

 

 

 

 

420

210

создание базового центра сквозного системного проектирования и функциональной поддержки радиоэлектронных средств с улучшенной электромагнитной совместимостью площадью 450 кв.м (в том числе для создания встроенных бесконтактных систем управления электродвигателями и приводами, оптоэлектронных и радиотехнических приборов)**

 

332.

Реконструкция и техническое перевооружение для создания центра проектирования на федеральном государственном унитарном предприятии "Центральный научно-исследовательский радиотехнический институт имени академика А.И.Берга", г. Москва

 

260

130*

 

 

 

 

260

130

создание центра проектирования интегральных сверхвысокочастотных модулей специального и промышленного применения для унифицированных приемо-передающих радиоэлектронных трактов площадью 340 кв.м

(в том числе для создания испытательного центра радиоэлектронной аппаратуры космического и промышленного назначения)**

 

333.

Реконструкция и техническое перевооружение для создания центра проектирования матричных преобразователей и микроэлектронных сигнальных процессоров на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производствен-ный центр автоматики и приборостроения имени академика Н.А.Пилюгина",

г. Москва

 

200

100*

 

 

 

 

200

100

создание центра площадью 220 кв.м для системного проектирования матричных преобразователей и микроэлектронных сигнальных процессоров высокоточных навигационных приборов бортового и промышленного назначения**

 

334.

Реконструкция и техническое перевооружение для создания центра проектирования особо стойкого модульного ядра отказоустойчивой радиоэлектронной аппаратуры с особо жесткими условиями эксплуатации на федеральном государственном унитарном предприятии "Центральный научно-исследовательский институт "Комета",

г. Москва

 

200

100*

 

 

 

 

200

100

создание дизайн-центра площадью

370 кв.м для системного проектирования радиационно стойкой, помехоустойчивой электронной компонентной базы, в том числе изделий "система на кристалле" для построения особо стойкого модульного ядра радиоэлектронной аппаратуры с особо жесткими условиями эксплуатации, в том числе для космического, авиационного и промышленного применения**

 

 

 

335.

Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования и технического перевооружения действующего производства на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производствен-ное объединение прикладной механики имени академика М.Ф.Решетнева",

г. Железногорск, Красноярский край

 

200

100*

 

 

 

 

200

100

создание базового центра сквозного системного проектирования и функциональной поддержки в процессе эксплуатации аппаратуры модульных средств связи и навигации для бортовых и промышленных систем площадью

300 кв.м **

 

336.

Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра сквозного системного проектирования на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производствен-ное объединение имени С.А.Лавочкина",

г. Москва

 

200

100*

 

 

 

 

200

100

создание базового центра сквозного системного проектирования и функциональной поддержки в процессе эксплуатации площадью 350 кв. м (в том числе для радиоэлектронных функциональных модулей роботизированных транспортных средств повышенной живучести)**

 

Итого по
Роскосмосу

5800

2900

120

60

120

60

120

60

160

80

5280

2640

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ (РОСОБРАЗОВАНИЕ)

 

Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

337.

Реконструкция и техническое перевооружение государственного образовательного учреждения "Московский государственный институт электронной техники" (технический университет), г. Москва, для создания базового центра проектирования

 

120

  60*

 

60

30

60

30

 

 

создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв.м**

338.

Реконструкция и техническое перевооружение государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики" (технический университет), г. Москва, для создания базового центра проектирования

 

50

  25

50

25

 

 

 

 

создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв.м

339.

Реконструкция и техническое перевооружение государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Томский государственный университет", г. Томск, для создания базового центра проектирования

 

 

 

 

200

  100*

 

 

 

 

200

100

создание базового центра системного проектирования площадью 400 кв.м**

340.

Реконструкция и техническое перевооружение государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э.Баумана",

г. Москва, для создания базового центра проектирования

 

200

  100*

 

 

 

 

200

100

создание базового центра системного проектирования площадью 400 кв.м**

341.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного учреждения высшего профессионального образования "Южный федеральный университет",

г. Ростов-на-Дону, для создания базового центра проектирования

 

200

  100*

 

 

 

 

200

100

создание базового центра системного проектирования площадью 400 кв.м**

342.

Реконструкция и техническое перевооружение государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Новосибирский государственный университет",

г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования

 

200

  100*

 

 

 

 

200

100

создание базового центра системного проектирования площадью 400 кв.м**

343.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный университет", г. Санкт-Петербург,  для создания базового центра проектирования

 

230

  115*

 

 

 

 

230

115

создание базового центра системного проектирования площадью 600 кв.м**

 

Итого по
Рособразованию

1200

600

50

25

60

30

60

30

 

1030

515

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Всего по
Программе

88000

44000

3040

1520

4000

2000

4600

2300

6000

3000

70360

35180

 

В числителе указывается общая стоимость работ, в знаменателе - размер финансирования за счет средств федерального бюджета.

* Размеры финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

Примечание. Срок получения предусмотренных настоящим перечнем результатов работ соответствует году окончания их финансирования.

 

 Copyright © ProTown.ru 2008-2015
 При перепечатке ссылка на сайт обязательна. Связь с администрацией сайта.